Динамические параметры.

Это параметры, которые совместно с такими же параметрами других компонентов схемы определяют вид АЧХ линейной схемы или характер переходных процессов в ключевых схемах.

Частотные свойства транзистора в активном режиме определяются :

· инерционностью процессов распространения подвижных носителей в транзисторной структуре (в основном на базе) ;

· наличием емкостей переходов (в частности барьерной емкостью коллекторного перехода) и конечным значением внутренних сопротивлений ;

· эффектами накопления и рассеивания зарядов.

Обычно, для упрощения анализов динамических процессов, большую часть источников инерционности процессов в транзисторе сводятся к эквивалентным емкостям (зависящим, в общем случае, от напряжения и частоты). За счет этого получают достаточно простые эквивалентные схемы транзистора на переменном токе, приведенные на рис.5.6.

Рис.5.6. Эквивалентные схемы для активного режима а) и режима отсечки б).

 

Коэфициент передачи по току может быть представлен характеристикой ФНЧ первого порядка

 

, где w_b - частота среза.

Во временной области эта зависимость имеет вид :

, где t_b = 1 / w_b - постоянная времени изменения коэфициента передачи по току.

Граничной частотой усиления (или “частотой единичного усиления”) называют частоту, при которой модуль коэфициента усиления уменьшается до 1.

В практических в расчетах используется соотношение

w_гр = b × w_b

t_a = t_b / (1+b) или t_b = (1+b) t_a » b × t_a ,

где t_a = 1 / 2pf_a , f_a - граничная частота усиления для схемы с ОЭ, которая приводится обычно в справочных данных !

Кроме f_a в справочных данных приводятся значения t_a и t_b, а также величины емкостей эмиттерного (С^*_эо) и коллекторного (С^*_ко) переходов при Uкб=0, Uэб=0, Uкк и Uэк - контактная разность потенциалов переходов К-Б и Э-Б.

 

· Особенности переходных процессов в ключевом режиме работы

транзисторавкюченного, например, по схеме с ОЭ заключается в наличии времени рассасывания заряда неосновных носителей, накопленного в базе при протекании тока в отрытом и насыщенном состоянии. Причем, с увеличением Iкн увеличивается tр !

Iк (t) = b (t) × Iб

 

Iкн = b_о × Iбн ® Iбн = S × Iбо