Замещения биполярного транзистора
Наиболее полно статические параметры биполярного транзистора описываются входной ВАХ и семейством выходных характеристик. Входная ВАХ транзистора 
при UКЭ = const практически не зависит от напряжения коллектор-эмиттер и повторяет ВАХ p-n перехода (рис.1.3). Выходные характеристики транзистора 
при IБ = const приведены на рис.1.4.
_________________________________
Рис.1.4. Выходные характеристики биполярного транзистора:
1 – зона насыщения;
2 – активная зона;
3 – зона отсечки
__________________________________________________________
На семействе выходных характеристик транзистора можно выделить три зоны: 1 – зона насыщения, в которой транзистор полностью открыт и его напряжение коллектор-эмиттер минимально; 2 – активная зона, в которой ток коллектора пропорционален току базы; 3 – зона отсечки, когда транзистор полностью закрыт, а его коллекторный ток минимален.
Так как характеристики ПП приборов не линейны, то при аналитических расчетах используются дифференциальные параметры. Дифференциальные параметры определяются как производные в конкретных точках характеристик.
Рис.1.5 иллюстрирует методику определения дифференциального сопротивления. Дифференциальное входное сопротивление транзистора определяется по входной ВАХ транзистора как отношение приращения напряжения к приращению тока для касательной, проведенной через точку А, в которой определяется это сопротивление. Аналогично определяется любое дифференциальное сопротивление.
_____________________________
Рис.1.5. Методика определения входного сопротивления транзистора
___________________________________________________
Входное дифференциальное сопротивление транзистора равно
. (1.7)
Из рис.1.4. видно, что в активной зоне транзистор ведет себя как источник тока, управляемый базовым током, поэтому основным параметром транзистора является коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером
, при UКЭ = const. (1.8)
Определение 
иллюстрируется рис.1.4, а 
. При аналитических расчетах широко применяют схемы замещения транзистора (рис. 1.6.), которые описывают транзистор линейной схемой и справедливы для сравнительно небольших изменений токов и напряжений.
Рис.1.6. Схемы замещения транзистора:
а) – полная схема замещения;
б) – упрощенная схема замещения;
rK, rБ, rЭ – коллекторное, базовое и эмиттерное дифференциальные сопротивления транзистора;
СК, СБЭ – емкости переходов коллектор-база и база-эмиттер;
- дифференциальное входное сопротивление
Для сопротивлений выполняется соотношение 
, поэтому эмиттерное сопротивление в выходной цепи схемы замещения транзистора на рис.1.6,б не учитывается.