Из условия получения максимального к.п.д. выбирается коллекторное сопротивление , где RН считается известным.
Напряжение эмиттера выбирается в диапазоне .
Из условия получения максимальной амплитуды переменного сигнала выбирается коллекторное напряжение ,
где UКЭнас – напряжение коллектор-эмиттер полностью открытого (насыщенного) транзистора. .
Определяем из выражения (2.4) коллекторный ток .
Определяем из выражения (2.3) эмиттерное сопротивление .
Определяем базовый ток транзистора , где - коэффициент передачи (усиления) транзистора по току в схеме с общим эмиттером.
Задаемся выходным сопротивлением делителя напряжения , где rВХ – входное дифференциальное сопротивление транзистора.
Определяем коэффициент передачи делителя
.
Определяем сопротивления делителя , .
Расчет емкостей С1, С2, СЭ производится из условий прохождения сигнала переменного тока, которые рассмотрены далее
, , .