Полупроводниковые слитки режутся на пластины тонкими стальными дисками с алмазной режущей кромкой -рис.3.4.
Рис. 3.4. Резка полупроводникового слитка диском с внутренней алмазной режущей кромкой:
1 – шпиндель, 2 – основа диска, 3 – режущая кромка, 4 – держатель слитка, 5 и 6 – полупроводниковые слиток и пластина
Диаметр и площадь пластин определяются диаметром слитка. Чем больше площадь пластины, тем на большее число кристаллов ее можно разделить, тем больше ИМС можно изготовить на одной пластине. На пластине диаметром 450 мм можно разместить более 2000 кристаллов, в каждом из которых можно сформировать до 109 схемных элементов.
Пластина, вырезанная из слитка, содержит геометрические и структурные дефекты. Их устраняют шлифовкой и полировкой (сначала механической, потом химической) до 14 класса чистоты. Высота микронеровностей поверхности составляет не более 50 нм.