рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Микроклимат и производственная гигиена

Микроклимат и производственная гигиена - раздел Электроника, ВВЕДЕНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ Для Повышения Выхода Годных Имс И Воспроизводимости Их Параметров Важно Подде...

Для повышения выхода годных ИМС и воспроизводимости их параметров важно поддерживать стабильные климатические условия, высокую чистоту воздушной среды, технологических газов и жидкостей.

Температура и влажность относятся к климатическим параметрам производственных помещений и определяют понятие микроклимата.

Определенная и стабильная температура требуется для фотолитографических процессов, где важна стабильность линейных размеров. Постоянная температура помещения требуется при измерении электрических характеристик. Рабочая температура некоторых процессов (диффузии, эпитаксии, окисления др.) составляет 800 – 1200 ℃ и должна поддерживаться с точностью до десятых долей градуса. Изменение температуры помещения может внести погрешность в значение стабилизированной температуры процесса за счет изменения условий теплообмена с окружающей средой.

При высокой влажности воздуха производственных помещений пары воды адсорбируются на пластинах, кристаллах, технологических установках, что при нагреве может привести к образованию окислов. Наличие влаги может понизить точность измерений электрических параметров. Поэтому влажность должна быть минимальной, но не ниже 30 %. При низкой влажности усиливается проявление статического электричества, которое может привести к пробою созданных структур.

По температурно-влажностным параметрам установлены три класса производственных помещений – табл. 3.1.

 

Таблица 3.1

 

Параметры воздушной среды производственных помещений

 

Характеристика воздушной среды Класс помещения
Температура, ℃ летом 22±0,5 20±1 20±2 По ГОСТ 12.1.005-76
зимой 22±0,5 23±1 23±2
Относительная влажность, %   45±5 50±5 50±10
Максимальное число частиц размером более 0,5 мкм в 1 л воздуха

 

Производственная гигиена – это комплекс технологических и организационно-технических мероприятий, направленных на обеспечение чистоты воздушной среды производственных помещений и чистоты технологических сред с целью повышения качества выпускаемых изделий.

Воздушная среда характеризуется запыленностью, которая оценивается количеством частиц размером не менее 0,5 мкм в единице объема воздуха (в 1 л или в м3 воздуха).

Аэрозоли (механические частицы в воздухе) являются причиной появления проколов в окисле (рис. 1.7), приводящей к выходу из строя элементов и ИМС в целом. Частицы пыли на поверхности готовых структур приводят к пробоям и коротким замыканиям при электрических испытаниях ИМС и ее эксплуатации. По степени запыленности производственные помещения и ограниченные рабочие объемы делятся на 5 классов – табл. 3.1.

Помещения 1 – 3 классов называются чистыми комнатами или гермозонами. Перед подачей в помещения воздух проходит фильтрацию, давление воздуха внутри помещения немного превышает атмосферное для уменьшения проникновения наружного воздуха. Чистая комната содержит рабочее помещение, гардеробное помещение, переходные и обдувочные шлюзы, помещение для обработки приточного воздуха.

Рекомендуемые для различных операций классы микроклимата и запыленности приведены в табл. 3.2. Достичь высокой степени обеспыленности легче в ограниченных локальных рабочих объемах – боксах или скафандрах.

Определенные требования предъявляют к технологическим средам: технологическим газам и воде.

Технологические газы используются в различных целях. Защитные газы (азот, аргон, гелий) применяют для исключения окисления и коррозии на высокотемпературных операциях: пайке, сварке, герметизации, продувки реакторов эпитаксиальных и диффузионно-окислительных установок, транспортировке газов-реагентов и др.

Газы-реагенты используются как диффузанты, окислители, травители, восстановители. Аргон, азот, кислород применяются как плазмообразующие газы при ионно-плазменном распылении, вакуумно-плазменном травлении, плазмохимической обработке. Промышленно выпускаемые газы не имеют достаточной чистоты для полупроводникового производства, поэтому их тщательно очищают и осушают.

Вода, используемая в производстве, не должна содержать гидрозолей (механических частиц), растворенных солей, газов, примесей металлов и органики. Такая вода называется деионизованной.

Таблица 3.2

 

Классы производственных помещений и рабочих объемов для различных операций

 

Наименование технологических операций Класс помещения Класс рабочего объема по запыленности
по микроклимату по запыленности
Фотолитография
Вакуумное напыление
Химобработка, окисление, диффузия
Контроль электрических параметров на пластине
Скрайбирование, монтаж кристалло , разварка выводов
Герметизация -

 


– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ВВЕДЕНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ

технический университет... Е П Новокрещенова...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Микроклимат и производственная гигиена

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Исторический обзор
Электроника – раздел науки и техники, в котором исследуются электронные явления в веществе; на основе результатов этих исследований разрабатываются методы создания электронных приборов, электронных

Полупроводниковые ИМС
В первых дискретных полупроводниковых приборах (точечных и сплавных) электронно-дырочный переход формировался после разделения полупроводниковой пластины на кристаллы. Поэтому каждый кристалл требо

Основные принципы интегральной технологии
Важнейшим принципом является технологическая совместимость элементов ИМС с наиболее сложным элементом, которым является транзистор. Структура элементов (диодов, резисторов, конденсаторов)

Гибридные и совмещенные интегральные схемы
Применение полупроводниковых ИМС ограничено следующими причинами: производство полупроводниковых ИМС экономически оправдано лишь в крупносерийном и массовом производстве (основные затраты идут на п

Степень интеграции
Степень интеграции К – это показатель сложности ИМС, характеризуемой числом элементов N, полученных интегральной технологией на общем кристалле:   К = lg N.

Собственные и примесные полупроводники
Собственный полупроводник. Рассмотрим механизм проводимости полупроводниковых материалов на примере элементарных полупроводников. В кристалле кремния (он находится в четвертой группе таблицы

Полупроводников (p-n переход)
Для создания контакта электронного и дырочного полупроводников в одну часть кристалла вводится акцепторная примесь, а в другую часть – донорная. Граница раздела между областями кристалла с разного

Основные этапы технологии ИМС
Основными этапами изготовления ИМС являются: · получение чистого полупроводникового материала; · выращивание из него монокристаллических слитков с заданными электрофизическими сво

Выбор полупроводникового материала
Технология ИМС предъявляет к полупроводниковому материалу жесткие требования. Для массового производства приборов и ИМС полупроводниковый материал должен: - иметь высокую химическ

Получение полупроводникового материала
Материалами, используемыми для изготовления ИМС, являются кремний и арсенид галлия. Однако ИМС делают в основном на кремнии, так как технология ИМС на арсениде галлия более сложная и не столь хорош

Получение полупроводниковых пластин
Полупроводниковые слитки режутся на пластины тонкими стальными дисками с алмазной режущей кромкой -рис.3.4.         Рис. 3.4. Резка

Получение эпитаксиальных структур
До 1965 г. выход годных ИМС на биполярных транзисторах не превышал 5 %. Использование в структуре ИМС эпитаксиального слоя позволило увеличить процент выхода годных ИМС до 50 – 70 %. Совре

Методы формирования элементов ИМС
  Основным элементом полупроводниковых ИМС является p-n переход. Для его образования в полупроводник заданного типа проводимости вводятся атомы примеси, создающей проводимость противо

Общая характеристика технологического процесса производства ИМС
Общее количество операций технологического процесса может достигать 200 в зависимости от структуры ИМС и конструкции корпуса.Все операции могут быть разделены на три группы - рис. 3.5.

Типы структур ИМС
Рассмотрим структуры биполярных ИМС. Диффузионно-планарная структура. Функции изоляции элементов в ней выполняют p-n переходы, ограничивающие области отдельных элементов и смещенные

Требования к кремниевым пластинам
Групповая кремниевая подложка представляет собой круглую плоскопараллельную пластину диаметром обычно до 300 мм и толщиной (в зависимости от диаметра) в интервале от 0,2 ÷ 0,3 мм до 1 мм. По

Термическая диффузия примесей
Диффузия проводится с целью внедрения атомов легирующего элемента в кристаллическую решетку полупроводника для образования области с противоположным по отношению к исходному материалу типом проводи

Ионное легирование
Ионное легирование – это технологическая операция введения примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путем бомбардировки ионами примесей. Получение ионов, их ускорен

Эпитаксия
  Термин эпитаксия происходит от греческого epi – на, над и taxis – расположение. Эпитаксия - процесс наращивания на пластину (подложку) монокристаллического слоя (эпитаксиал

Свойства пленки двуокиси кремния
Двуокись кремния широко используется в технологии ИМС: для создания масок, используемых при проведении локальных технологических процессов, формирования подзатворного диэлектрика в МДП-структурах,

Травление
Травление – это удаление поверхностного слоя не механическим, а чаще всего химическим путем. Травление используют для получения максимально ровной бездефектной поверхности пластин, не достижимой ме

Нанесение тонких пленок
Тонкие пленки широко используются как в полупроводниковых, так и в гибридныхИМС. Они являются материалом проводников соединений, резисторов, конденсаторов, изоляции. Помимо требуемых электрофизичес

Проводники соединений и контакты в полупроводниковых ИМС
Элементы ИМС соединяются между собой тонкопленочными проводниками. Предварительно в двуокиси кремния, покрывающей поверхность пластины, вытравливаются окна под контакты. Далее на всю поверхность на

Литография
Литография – это процесс формирования отверстий (окон) в масках, создаваемых на поверхности пластины и предназначенных для проведения локальных технологических процессов (легирования, травления, ок

ЗАКЛЮЧЕНИЕ
С 1965 г. и по настоящее время полупроводниковая электроника бурно развивается. Ее базовым материалом является кремний. Он прекрасно обрабатывается, обеспечивает получение субмикронных схемных элем

Индексы Миллера
Пусть плоскость отсекает на осях координат отрезки ОА, ОВ и ОС (в единицах периода решетки). Рассчитаем обратные им величины H = 1/ОА, K = 1/ОВ, L = 1/ОС и определим наи­меньшие целые числа с таким

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Щука А.А. Электроника: учеб. пособие / А.А. Щука. СПб.: БХВ-Петербург, 2006. 2. Аваев Н.А. Основы микроэлектроники / Н.А. Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин. М.: Радио и связь, 1991.

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги