рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Ионное легирование

Ионное легирование - раздел Электроника, ВВЕДЕНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ Ионное Легирование – Это Технологическая Операция Введения Примесей В Поверхн...

Ионное легирование – это технологическая операция введения примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путем бомбардировки ионами примесей.

Получение ионов, их ускорение и фокусировку производят в специальных вакуумных установках.

Пар легирующих элементов поступают в ионизационную камеру, где возбуждается высокочастотный или дуговой электрический разряд. Образовавшиеся ионы (P+, As+,B+ и др.) вытягиваются из камеры с помощью экстрагирующего электрода, на который подается высокий отрицательный потенциал 10 – 20 кВ, и поступают в магнитный масс-сепаратор. Принцип действия масс-сепаратора основан на зависимости траектории движения иона в постоянном поперечном магнитном поле от его массы. Поэтому на выход попадают только нужные ионы. Ионы ускоряются в электрическом поле ( с напряжением до 300 кВ) и фокусируются в пучок с плотностью тока до 100 А/м2 и площадью сечения 1 – 2 мм2. Пучок сканируют по пластине, облучая всю ее поверхность.

Локальное легирование производится через маску SiO2 или Si3N4 толщиной около 0,5 мкм, превышающей длину пробега ионов в этих материалах.

Ввиду того, что пучок перпендикулярен поверхности и боковое рассеяние ионов мало, горизонтальные размеры легированной области точно соответствуют отверстию в маске – рис. 4.5.

 

 

 

Рис. 4.5. Образование p-n перехода

при ионном легировании

 

В этом преимущества метода по сравнению с легированием путем термической диффузии, так как позволяет получать окна меньших размеров (для этого нужно сравнить рис. 4.1. и 4.5). Возможно локальное легирование без маски путем сканирования остросфокусированным ионным пучком, который может включаться и выключаться по заданной программе.

На рис. 4.6 изображено распределение концентраций бора Nа (x) для одинаковой дозы легирования Nл.а., но разных энергий ионов.

 

 

 

 

Рис. 4.6. Распределение примеси по глубине пластины при ионном легировании

 

Длина пробега ионов – случайная величина, распределенная по нормальному закону (закон Гаусса), она характеризуется средним значением и среднеквадратичным отклонением σ. Обе величины и σ увеличиваются с ростом энергии ионов.

Положение максимума распределения Na (x) соответствует , толщина легированного слоя, то есть «ширина» распределения Na (x), пропорциональна δ, а максимальная концентрация примеси определяется дозой легирования:

 

Nmax = N ( л.а. /√(2πσ).

 

При малой энергии ионов слой р-типа проводимости образуется у поверхности, а его толщина определяется из условия Na (x01) = Nд, где Nд – исходная концентрация доноров в пластине n- типа (Nд = 5 ∙ 1016 см-3). На расстоянии х01 от поверхности образуется p-n переход. При большой энергии ионов слой р-типа располагается на расстоянии x´02 от поверхности и имеет толщину ∆х = ( - ) ~ σ2. Точки и с соответствуют металлургическим границам p-n переходов.

С ростом энергии ионов увеличивается число радиационных дефектов в кристалле (смещений атомов), поэтому энергию ограничивают 200 кэВ. Значения не превышают 0,5 – 0,7 мкм.

Доза легирования регулируется током ионного пучка и временем легирования (несколько минут). При большой дозе можно получить более высокую концентрацию, чем при диффузии, но это приведет к повышению дефектности кристалла вплоть до разрушения его поверхности и превращения в аморфный кремний. Поэтому дозу ограничивают значениями 1014 – 1015 см-2.

Высокая воспроизводимость параметров легированных слоев достигается постоянством ускоряющего напряжения и тока пучка.

Для снижения числа радиационных дефектов и активации примеси производится отжиг пластин при температурах 600 – 900 ℃. При отжиге смещенные атомы полупроводника возвращаются к положениям равновесия в узлах кристаллической решетки, а примесные атомы перемещаются в позиции атомов замещения, то есть происходит активация, только в этом случае примесные атомы будут вести себя как доноры или акцепторы.

В связи с тем, что глубина легирования при ионной имплантации небольшая, его можно использовать как загонку примеси (первый этап диффузии), а затем провести второй этап легирования – разгонку при высокой температуре (900 – 1000 ℃), совместив ее с отжигом. Такой способ дает возможность получить легированные слои большой толщины при обеспечении более точного дозирования вводимой примеси по сравнению с диффузией.

Ионное легирование широко используется при создании БИС и СБИС. Оно позволяет создавать слои с субмикронными горизонтальными размерами с толщинами порядка 0,1 мкм при высокой воспроизводимости параметров.

Процесс ионного легирования имеет высокую производительность, занимает меньше времени, проводится при более низких температурах в сравнении с диффузией, в связи с чем мало изменяет распределение примеси, полученное на предыдущих этапах.

Этим методом можно внедрять примеси любых элементов, при этом обеспечивается высокая степень чистоты, так как процесс производится в вакууме и используется магнитное сепарирование ионов. Ионное легирование хорошо совместимо с другими вакуумными процессами.

Недостатками ионного легирования являются малая глубина залегания слоев, образование дефектов, не полностью устраняемых отжигом, а также сложность технологического оборудования.

В электронной промышленности ионная имплантация производится на установках типа «Везувий».

 

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ВВЕДЕНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ

технический университет... Е П Новокрещенова...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Ионное легирование

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Исторический обзор
Электроника – раздел науки и техники, в котором исследуются электронные явления в веществе; на основе результатов этих исследований разрабатываются методы создания электронных приборов, электронных

Полупроводниковые ИМС
В первых дискретных полупроводниковых приборах (точечных и сплавных) электронно-дырочный переход формировался после разделения полупроводниковой пластины на кристаллы. Поэтому каждый кристалл требо

Основные принципы интегральной технологии
Важнейшим принципом является технологическая совместимость элементов ИМС с наиболее сложным элементом, которым является транзистор. Структура элементов (диодов, резисторов, конденсаторов)

Гибридные и совмещенные интегральные схемы
Применение полупроводниковых ИМС ограничено следующими причинами: производство полупроводниковых ИМС экономически оправдано лишь в крупносерийном и массовом производстве (основные затраты идут на п

Степень интеграции
Степень интеграции К – это показатель сложности ИМС, характеризуемой числом элементов N, полученных интегральной технологией на общем кристалле:   К = lg N.

Собственные и примесные полупроводники
Собственный полупроводник. Рассмотрим механизм проводимости полупроводниковых материалов на примере элементарных полупроводников. В кристалле кремния (он находится в четвертой группе таблицы

Полупроводников (p-n переход)
Для создания контакта электронного и дырочного полупроводников в одну часть кристалла вводится акцепторная примесь, а в другую часть – донорная. Граница раздела между областями кристалла с разного

Основные этапы технологии ИМС
Основными этапами изготовления ИМС являются: · получение чистого полупроводникового материала; · выращивание из него монокристаллических слитков с заданными электрофизическими сво

Выбор полупроводникового материала
Технология ИМС предъявляет к полупроводниковому материалу жесткие требования. Для массового производства приборов и ИМС полупроводниковый материал должен: - иметь высокую химическ

Получение полупроводникового материала
Материалами, используемыми для изготовления ИМС, являются кремний и арсенид галлия. Однако ИМС делают в основном на кремнии, так как технология ИМС на арсениде галлия более сложная и не столь хорош

Получение полупроводниковых пластин
Полупроводниковые слитки режутся на пластины тонкими стальными дисками с алмазной режущей кромкой -рис.3.4.         Рис. 3.4. Резка

Получение эпитаксиальных структур
До 1965 г. выход годных ИМС на биполярных транзисторах не превышал 5 %. Использование в структуре ИМС эпитаксиального слоя позволило увеличить процент выхода годных ИМС до 50 – 70 %. Совре

Методы формирования элементов ИМС
  Основным элементом полупроводниковых ИМС является p-n переход. Для его образования в полупроводник заданного типа проводимости вводятся атомы примеси, создающей проводимость противо

Общая характеристика технологического процесса производства ИМС
Общее количество операций технологического процесса может достигать 200 в зависимости от структуры ИМС и конструкции корпуса.Все операции могут быть разделены на три группы - рис. 3.5.

Типы структур ИМС
Рассмотрим структуры биполярных ИМС. Диффузионно-планарная структура. Функции изоляции элементов в ней выполняют p-n переходы, ограничивающие области отдельных элементов и смещенные

Требования к кремниевым пластинам
Групповая кремниевая подложка представляет собой круглую плоскопараллельную пластину диаметром обычно до 300 мм и толщиной (в зависимости от диаметра) в интервале от 0,2 ÷ 0,3 мм до 1 мм. По

Микроклимат и производственная гигиена
Для повышения выхода годных ИМС и воспроизводимости их параметров важно поддерживать стабильные климатические условия, высокую чистоту воздушной среды, технологических газов и жидкостей. Т

Термическая диффузия примесей
Диффузия проводится с целью внедрения атомов легирующего элемента в кристаллическую решетку полупроводника для образования области с противоположным по отношению к исходному материалу типом проводи

Эпитаксия
  Термин эпитаксия происходит от греческого epi – на, над и taxis – расположение. Эпитаксия - процесс наращивания на пластину (подложку) монокристаллического слоя (эпитаксиал

Свойства пленки двуокиси кремния
Двуокись кремния широко используется в технологии ИМС: для создания масок, используемых при проведении локальных технологических процессов, формирования подзатворного диэлектрика в МДП-структурах,

Травление
Травление – это удаление поверхностного слоя не механическим, а чаще всего химическим путем. Травление используют для получения максимально ровной бездефектной поверхности пластин, не достижимой ме

Нанесение тонких пленок
Тонкие пленки широко используются как в полупроводниковых, так и в гибридныхИМС. Они являются материалом проводников соединений, резисторов, конденсаторов, изоляции. Помимо требуемых электрофизичес

Проводники соединений и контакты в полупроводниковых ИМС
Элементы ИМС соединяются между собой тонкопленочными проводниками. Предварительно в двуокиси кремния, покрывающей поверхность пластины, вытравливаются окна под контакты. Далее на всю поверхность на

Литография
Литография – это процесс формирования отверстий (окон) в масках, создаваемых на поверхности пластины и предназначенных для проведения локальных технологических процессов (легирования, травления, ок

ЗАКЛЮЧЕНИЕ
С 1965 г. и по настоящее время полупроводниковая электроника бурно развивается. Ее базовым материалом является кремний. Он прекрасно обрабатывается, обеспечивает получение субмикронных схемных элем

Индексы Миллера
Пусть плоскость отсекает на осях координат отрезки ОА, ОВ и ОС (в единицах периода решетки). Рассчитаем обратные им величины H = 1/ОА, K = 1/ОВ, L = 1/ОС и определим наи­меньшие целые числа с таким

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Щука А.А. Электроника: учеб. пособие / А.А. Щука. СПб.: БХВ-Петербург, 2006. 2. Аваев Н.А. Основы микроэлектроники / Н.А. Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин. М.: Радио и связь, 1991.

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги