ЗАКЛЮЧЕНИЕ

С 1965 г. и по настоящее время полупроводниковая электроника бурно развивается. Ее базовым материалом является кремний. Он прекрасно обрабатывается, обеспечивает получение субмикронных схемных элементов, является химически стабильным, как и формируемые на нем приборные структуры.

Кремниевая технология является основной в современной полупроводниковой технологии. Она уже используется в наноэлектронике: минимальный топологический размер ∆, достигнутый в 2010 г. – 32 нм, в 2012 г. – 22 нм, в 2014 г. прогнозируют получить ∆ = 14 нм, а в 2018г. – 10 нм. Динамика уменьшения топологических размеров отражена на рисунке.

 

 

 

Динамика уменьшения топологических

размеров по годам


Таким образом кремниевая технология перспективна до ∆ = 10 нм.

Переход к диапазону 1 – 10 нм требует применения новых принципов, методов и материалов для создания наноэлектронных устройств.

В журнале «В мире науки» приведено такое сравнение. Если темпы развития микроэлектроники (стоимость, быстро- действие, экономичность) перенести на авиапромышленность, то самолет бы стоил 500 долларов, совершить облет земного шара можно было за 20 минут, затрачивая на это менее 20 л топлива.

Одной из специфических особенностей микро- и нано- электроники является высокая наукоемкость, использующая новейшие достижения физики, химии, биологии и других наук. Проектирование, технология изготовления и функци-онирование микро- и наноэлектронных систем основаны на фундаментальных законах природы, управляющих электрон- ными и атомными процессами в материальных объектах.

Специалисту в области микро- и нанотехнологии глубокое изучение законов фундаментальных наук позволит легко осмысливать и осознанно использовать в професси-ональной деятельности любые новации современной техники.