Расчет параметров интегрального резистора.

Все расчеты проводятся по упрощенной схеме с использованием табличных значений из справочника. Выбираем ширину базовой области для резистора:

Низкоомные резисторы с номиналом R ≤ 1 кОм имеет ширину базовой области β = 30 мкм;

Высокоомные резисторы с номиналом от 1 кОм до 5 кОм (1 кОм ≤ R ≤ 5 кОм) выполняются с шириной базового слоя β = 20 мкм;

Высокоомные резисторы с номиналом R> 5 кОм выполняются с шириной базовой области β = 15 мкм.

Таким образом, достигается воспроизводимость параметров резисторов в объеме партии вследствие малого влияния боковой диффузии и погрешностей технологических операций.

Из справочных данных принимаем следующие величины удельного поверхностного сопротивления ρs:

1) при 100 Ом ≤ R ≤ 300 Ом ρs=120 Ом/□

2) при 300 Ом ≤ R ≤ 2,5 кОм ρs=222 Ом/□

3) при 3 кОм ≤ R ≤ 4 кОм ρs=320 Ом/□

4) при 5 кОм ≤ R ≤ 10 кОм ρs=240 Ом/□

Составим таблицу значений (таблица 3)

Таблица 3

Позиция R 1 R 2 R 3 R 4
Номинал, Ом
Ширина диффузионной области β, мкм
Удельное поверхностное сопротивление, ρs, Ом/□

Исходя из того, что коэффициент формы «n» можно представить двумя формулами:

и приравниваем правые части этих уравнений:

где β – ширина резистора, l – длинна резистора

Формула для расчета длины резистора l:

Все величины, входящие в формулу, нам известны, поэтому рассчитаем длину каждого из резисторов.

1)

Так как для чертежа топологии взят масштаб 400:1, то переведем величины β1 и l1 в мм:

l1 = 400 · 225.2 мкм = 90 080 мкм = 90 мм

β1 = 400 · 20 мкм = 8 000 мкм = 8 мм

Также рассчитываем и для остальных.