Для анализа и расчета цепей с биполярными транзисторами используют так называемые h – параметры транзистора, включенного по схеме ОЭ.
Электрическое состояние транзистора, включенного по схеме ОЭ, характеризуется величинами IБ, IБЭ, IК, UКЭ.
В систему h − параметров входят следующие величины:
1. Входное сопротивление
h11 = DU1/DI1 при U2 = const. (4.4)
представляет собой сопротивление транзистора переменному входному току при котором замыкание на выходе, т.е. при отсутствии выходного переменного напряжения.
2. Коэффициент обратной связи по напряжению:
h12 = DU1/DU2 при I1 = const. (4.5)
показывает, какая доля входного переменного напряжения передается на вход транзистора вследствие обратной связи в нем.
3. Коэффициент усилия по току (коэффициент передачи тока):
h21 = DI2/DI1 при U2 = const. (4.6)
показывает усиление переменного тока транзистором в режиме работы без нагрузки.
4. Выходная проводимость:
h22 = DI2/DU2 при I1 = const. (4.7)
представляет собой проводимость для переменного тока между выходными зажимами транзистора.
Выходное сопротивление Rвых = 1/h22.
Для схемы с общим эмиттером справедливы следующие уравнения:
(4.8)
где
Для предотвращения перегрева коллекторного перехода необходимо, чтобы мощность, выделяемая в нем при прохождении коллекторного тока, не превышала некоторой максимальной величины:
(4.9)
Кроме того, существуют ограничения по коллекторному напряжению:
и коллекторному току: