Система обозначений. - раздел Электроника, КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ по дисциплине Элементы электроники Этапы развития электроники 1.) К – Постоянный Конденсатор;
Кт – Подстроечный Конденсатор;
...
1.) К – постоянный конденсатор;
КТ – подстроечный конденсатор;
КП – переменный конденсатор;
КН – вариконд.
2.) число – обозначает тип диэлектрика:
10 керамический, с рабочим напряжением менее 1600В;
15 керамический, с рабочим напряжением более 1600В;
22 стекляннокерамический;
21 стеклянный;
31 слюдяной, малой мощности;
32 слюдяной, большой мощности;
40 бумажные, с рабочим напряжением менее 2 кВ;
41 бумажные, с рабочим напряжением более 2 кВ;
42 металлобумажные;
50 оксидные, электролитические алюминиевые;
51 оксидные, электролитические танталовые;
52 оксидные, объемно-пористые;
53 оксидные, полупроводниковые;
60 воздушные;
61 вакуумные;
71 полистирольные;
72 фторопластовые;
73 лавсановые.
Эти обозначения применимы для конденсаторов типа К, а для КП и КТ могут быть следующие обозначения:
1 вакуумные;
2 воздушные;
3 газообразные;
4 твердые.
3.) номер разработки.
Пример: К50-7а-250В-100 мкФ-В ГОСТ 5635-70 – конденсатор оксидно-электролитический К50-7, конструктивный вариант «а», 250 В, 100 мкФ, климатического исполнения «В».
Величину емкости указывают на корпусе конденсатора числом и буквой. При этом емкость от 0 до 100пФ обозначают в пикофарадах, помещая букву "п" или "р" после числа, если оно целое, либо на месте запятой, если число дробное). Емкость от 100пФ до 0,1мкФ обозначают в нанофарадах "н" или'"п", а от 0,1мкФ и выше в микрофарадах "м" или "m") .
Бумажные конденсаторы выполняются в виде бумаги пропитанной маслом, и фольговых обкладок, которые затем сворачиваются в рулон. Достоинства: широкие интервалы номиналов мощностей ( от 0.01 мкФ до 10мкФ); широкие интервалы рабочих напряжений. Недостатки: малая температурная и временная стабильность; большие потери. Например: БМ (бумажный малогабаритный ); КБГ ( бумажный герметизированный ); К40-1.
Металлобумажные конденсаторы выполнены из диэлектрической бумаги, а на неё с двух сторон напыляются обкладки, у них емкость больше и меньшие габариты. Достоинства: способность самовосстанавливаться после пробоя (так как из-за малой толщины обкладок, металл в месте пробоя испаряется). Например: МБМ; К42-2.
Слюдяные конденсаторы. Берется пакет из слюдяных пластинок и обкладки (алюминий или оловянно-свинцовый сплав), а затем всё это герметизируется. У таких конденсаторов малые потери (работают до 100МГц), хорошая стабильность, но имеют большие габариты. Например: КСО; К31-3.
Керамические конденсаторы. Диэлектрик выполнен из ВЧ керамики, обкладки наносятся методом вжигания серебра. Конструкции: дисковые, трубчатые, пластинчатые, бочоночные, проходные, опорные и литые щелевидные. Эти конденсаторы высокостабильные, с малыми потерями и дешевые. Например: КТ ( трубчатый ); КД ( дисковый ); КМ-6 ( малогабаритный ).
Стеклянные конденсаторы. В качестве диэлектрика используется стекло, удельная емкость выше чем у слюдяных. Они дёшевы, малогабаритны и стабильны, с высокой электрической прочностью. Например: КС; К21-5.
Стеклянно керамические конденсаторы. Диэлектрик – это стекло смешанное с керамикой, для увеличения e. Например: СКМ; К22-5.
Пленочные конденсаторы. Диэлектрик – это синтетическая пленка с фольговым или металлизированными обкладками. В качестве диэлектрика используются органические полярные (большие потери) и неполярные (малые потери) диэлектрики. Например: ПСО (полистирольные) – полистирол плавится при низкой температуре; К70-6; ФТ ( фторопластовые ); К72-2; К73-3 ( лавсановые – полярный диэлектрик ).
Оксидные конденсаторы. В качестве диэлектрика применяется пленка окисла металла. В качестве пленок используются окислы тантала, ниобия или алюминия. Все эти конденсаторы полярные.
Разновидности: оксидные электролитические алюминиевые; оксидные электролитические танталовые ( ниобиевые ); объемно-пористые; оксидные полупроводниковые.
Для увеличения площади обкладок используется травление фольги. Например: К50-3 (К50-6).
e у танталового окисла в 2.5 раза больше, чем у окисла алюминия, следовательно, меньшие габариты, дорогие, стабильные, но с малым рабочим напряжением. У ниобия e больше в 5 раз, чем у алюминия, но он дороже тантала. Например: К51-3 ( танталовый ).
Объемно-пористые конденсаторы чаше всего танталовые, представляют собой пористое тело с танталом, залитое электролитом, следовательно, большая емкость.
У оксидных полупроводниковых диэлектриков электролит заменен полупроводником, здесь нет проблем с испарением электролита, что увеличивает стабильность. Они выпускаются алюминиевые, танталовые и ниобиевые. Например: К53-8; К53-4; К53-1.
Ионисторы – конденсаторы большой ёмкости но на низкие рабочие напряжения 2,5…5 В. Используются для хранения информации.
Все темы данного раздела:
Система обозначения резисторов.
Различают две системы обозначения до и после 80-го года.
1. Система до 80-го года.
А) Буква С – сопротивление;
СП – переменный резистор;
СТ – терморезистор;
Цветовая и кодовая маркировка резисторов.
Буква обозначает множитель, на который умножаются цифровые обозначения. Например, резистор с номинальным сопротивлением 475 Ом и допуском ±2 % обозначается К475G.
Кроме всего, маломощные р
Тема 2. Полупроводниковые резисторы
Классификация и условное обозначение полупроводниковых резисторов
Тип резисторов
Условное обозначение
Линейны
Варисторы
Варистор – это полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от приложенного напряжения и, обладающий нелинейной симметричной вольт – амперной хара
Терморезисторы
Терморезисторы – это полупроводниковые резисторы, в которых используется зависимость электрического сопротивления полупроводника от температуры.
Различают два типа тер
Тензорезисторы
Тензорезистор – это полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость электрического сопротивления от механической деформации.
Назначение
Выпрямительные диоды.
Выпрямительным диодом называется полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный в силовых цепях, то есть в источниках питания. Выпрями
Стабилитроны
Стабилитроны -полупроводниковые диоды, напряжение на которых в области электрического пробоя слабо зависит от тока. Их используют для стабилизации напряжения.
Рабоч
Варикапы
Варикапом называется полупроводниковый диод, у которого в качестве основного параметра используется барьерная ёмкость, величина которой варьируется при изменении обратного напр
Импульсные диоды
Импульсные диоды применяются в маломощных схемах с импульсным характером подводимого напряжения. Отличительное требование к ним – малое время перехода из закрытого состояния в
Диоды Шоттки
Рис.1.17
Рис.1.18
Для уменьшения влияния диффузионной ёмкости (Сдиф
Туннельные диоды
Туннельные диоды — диоды, в основе которых использован туннельный эффект. Любой двухполюсник, имеющий на ВАХ участок отрицательного дифференциального сопротивления, може
Принцип действия
Источник Е внешнего питающего напряжения подключен к аноду положительным относительно катода полюсом. Если ток Iу через управляющий электрод триодного тиристора равен нулю,
Тема 5. Выпрямители
Структурная схема и параметры выпрямителей
Выпрямитель - это устройство, преобразующее переменный ток в постоянный.
 
Тема 6. Элементы Оптоэлектроники
Источники оптического излучения: принцип действия, основные параметры, характеристики
Источником оптического излучения называют устройство, преобразующее л
Характеристики полупроводниковых материалов
При рассмотрении процесса излучения света источником либо его поглощения фотодиодом свет рассматривается с квантовой точки зрения. Частицы света называются фотонами.
Сущест
Тема 7. Магнитоуправляемые элементы.
Магнитоуправляемые логические микросхемы, используются в устройствах самого разнообразного назначения. В настоящее время наиболее широкое распространение получили универсальные
Датчик Холла
Принцип действия датчиков основан на эффекте Холла. Основные преимущества этих датчиков заключается в отсутствии механических движущихся частей и высоком быстродействии (до 100 кГц). Благодаря этом
Магниторезисторы
Магниторезисторы - это электронные компоненты, действие которых основано на изменении электрического сопротивления полупроводника (или металла) при воздействии на него магнитно
Магнитотранзисторы
Из известных полупроводниковых преобразователей магнитного поля наиболее перспективными считаются магниточувствительные транзисторы - приборы, об падающие высокой чувствительностью и разрешающей сп
Устройство и принцип действия
Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности и пригодный для усиления мощности.
Выпускаемые в настоящее время
Характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ
Входной характеристикой является зависимость:
IЭ = f(UЭБ) при UКБ = const (рис. 4.4, а).
Выходной характеристикой является зависимость:
IК = f(UКБ) при IЭ = const (рис. 4
Основные параметры
Для анализа и расчета цепей с биполярными транзисторами используют так называемые h – параметры транзистора, включенного по схеме ОЭ.
Электрическое состояние транзистора, включенного по сх
Простейший усилительный каскад на биполярном транзисторе
Наибольшее применение находит схема включения транзистора по схеме с общим эмиттером (рис. 4.7)
Основными элементами схемы являются источник питания Ек, управляемый элемент – транзисторVT
Тема 9. Полевые транзисторы
Полевой транзистор – это электропреобразовательный прибор, в котором ток, протекающий через канал, управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между
Устройство и принцип действия
Полевой транзистор с управляющим р-n- переходом – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-n-переходом, смещенным в обратном направлении.
 
Статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-n- переходом
Рассмотрим вольт - амперные характеристики полевых транзисторов с р-n- переходом. Для этих транзисторов представляют интерес два вида вольт - амперных характеристик: стоковые и стоко - затворные.
Устройство и принцип действия
Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП - транзистор) – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.
МДП - транзисторы (с
Статические характеристики МДП - транзисторов
Стоковые (выходное) характеристики полевого транзистора со встроенным каналом n- типа Ic = f(Uси) показаны на рис. 5.4, б.
При Uзи = 0 через прибор протекает ток, определяемый исходной про
Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах
В настоящее время широко применяются усилители, выполненные на полевых транзисторах. На рис. 5.9 приведена схема усилителя, выполненного по схеме с ОИ и одним источником питания.
Тема 10. Составные транзисторы.
Составным транзистором называется соединение двух и более транзисторов, эквивалентное одному транзистору, но с большим коэффициентом усиления или другими отличительными свойств
Новости и инфо для студентов