рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Система обозначений.

Система обозначений. - раздел Электроника, Конспект лекций по дисциплине Элементы электроники Этапы развития электроники 1.) К – Постоянный Конденсатор; Кт – Подстроечный Конденсатор; ...

1.) К – постоянный конденсатор;

КТ – подстроечный конденсатор;

КП – переменный конденсатор;

КН – вариконд.

2.) число – обозначает тип диэлектрика:

10 керамический, с рабочим напряжением менее 1600В;

15 керамический, с рабочим напряжением более 1600В;

22 стекляннокерамический;

21 стеклянный;

31 слюдяной, малой мощности;

32 слюдяной, большой мощности;

40 бумажные, с рабочим напряжением менее 2 кВ;

41 бумажные, с рабочим напряжением более 2 кВ;

42 металлобумажные;

50 оксидные, электролитические алюминиевые;

51 оксидные, электролитические танталовые;

52 оксидные, объемно-пористые;

53 оксидные, полупроводниковые;

60 воздушные;

61 вакуумные;

71 полистирольные;

72 фторопластовые;

73 лавсановые.

Эти обозначения применимы для конденсаторов типа К, а для КП и КТ могут быть следующие обозначения:

1 вакуумные;

2 воздушные;

3 газообразные;

4 твердые.

3.) номер разработки.

Пример: К50-7а-250В-100 мкФ-В ГОСТ 5635-70 – конденсатор оксидно-электролитический К50-7, конструктивный вариант «а», 250 В, 100 мкФ, климатического исполнения «В».

Величину емкости указывают на корпусе конденсатора числом и буквой. При этом емкость от 0 до 100пФ обозначают в пикофарадах, помещая букву "п" или "р" после числа, если оно целое, либо на месте запятой, если число дробное). Емкость от 100пФ до 0,1мкФ обозначают в нанофарадах "н" или'"п", а от 0,1мкФ и выше в микрофарадах "м" или "m") .

Бумажные конденсаторы выполняются в виде бумаги пропитанной маслом, и фольговых обкладок, которые затем сворачиваются в рулон. Достоинства: широкие интервалы номиналов мощностей ( от 0.01 мкФ до 10мкФ); широкие интервалы рабочих напряжений. Недостатки: малая температурная и временная стабильность; большие потери. Например: БМ (бумажный малогабаритный ); КБГ ( бумажный герметизированный ); К40-1.

Металлобумажные конденсаторы выполнены из диэлектрической бумаги, а на неё с двух сторон напыляются обкладки, у них емкость больше и меньшие габариты. Достоинства: способность самовосстанавливаться после пробоя (так как из-за малой толщины обкладок, металл в месте пробоя испаряется). Например: МБМ; К42-2.

Слюдяные конденсаторы. Берется пакет из слюдяных пластинок и обкладки (алюминий или оловянно-свинцовый сплав), а затем всё это герметизируется. У таких конденсаторов малые потери (работают до 100МГц), хорошая стабильность, но имеют большие габариты. Например: КСО; К31-3.

Керамические конденсаторы. Диэлектрик выполнен из ВЧ керамики, обкладки наносятся методом вжигания серебра. Конструкции: дисковые, трубчатые, пластинчатые, бочоночные, проходные, опорные и литые щелевидные. Эти конденсаторы высокостабильные, с малыми потерями и дешевые. Например: КТ ( трубчатый ); КД ( дисковый ); КМ-6 ( малогабаритный ).

Стеклянные конденсаторы. В качестве диэлектрика используется стекло, удельная емкость выше чем у слюдяных. Они дёшевы, малогабаритны и стабильны, с высокой электрической прочностью. Например: КС; К21-5.

Стеклянно керамические конденсаторы. Диэлектрик – это стекло смешанное с керамикой, для увеличения e. Например: СКМ; К22-5.

Пленочные конденсаторы. Диэлектрик – это синтетическая пленка с фольговым или металлизированными обкладками. В качестве диэлектрика используются органические полярные (большие потери) и неполярные (малые потери) диэлектрики. Например: ПСО (полистирольные) – полистирол плавится при низкой температуре; К70-6; ФТ ( фторопластовые ); К72-2; К73-3 ( лавсановые – полярный диэлектрик ).

Оксидные конденсаторы. В качестве диэлектрика применяется пленка окисла металла. В качестве пленок используются окислы тантала, ниобия или алюминия. Все эти конденсаторы полярные.

Разновидности: оксидные электролитические алюминиевые; оксидные электролитические танталовые ( ниобиевые ); объемно-пористые; оксидные полупроводниковые.

Для увеличения площади обкладок используется травление фольги. Например: К50-3 (К50-6).

e у танталового окисла в 2.5 раза больше, чем у окисла алюминия, следовательно, меньшие габариты, дорогие, стабильные, но с малым рабочим напряжением. У ниобия e больше в 5 раз, чем у алюминия, но он дороже тантала. Например: К51-3 ( танталовый ).

Объемно-пористые конденсаторы чаше всего танталовые, представляют собой пористое тело с танталом, залитое электролитом, следовательно, большая емкость.

У оксидных полупроводниковых диэлектриков электролит заменен полупроводником, здесь нет проблем с испарением электролита, что увеличивает стабильность. Они выпускаются алюминиевые, танталовые и ниобиевые. Например: К53-8; К53-4; К53-1.

Ионисторы – конденсаторы большой ёмкости но на низкие рабочие напряжения 2,5…5 В. Используются для хранения информации.

 

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Конспект лекций по дисциплине Элементы электроники Этапы развития электроники

Министерство образования и науки Российской Федерации.. Государственное учреждение высшего профессионального образования.. Белорусско Российский университет..

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Система обозначений.

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Система обозначения резисторов.
Различают две системы обозначения до и после 80-го года. 1. Система до 80-го года. А) Буква С – сопротивление; СП – переменный резистор; СТ – терморезистор;

Цветовая и кодовая маркировка резисторов.
Буква обозначает множитель, на который умножаются цифровые обозначения. Например, резистор с номинальным сопротивлением 475 Ом и допуском ±2 % обозначается К475G. Кроме всего, маломощные р

Тема 2. Полупроводниковые резисторы
  Классификация и условное обозначение полупроводниковых резисторов Тип резисторов Условное обозначение Линейны

Варисторы
  Варистор – это полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от приложенного напряжения и, обладающий нелинейной симметричной вольт – амперной хара

Терморезисторы
Терморезисторы – это полупроводниковые резисторы, в которых используется зависимость электрического сопротивления полупроводника от температуры. Различают два типа тер

Тензорезисторы
  Тензорезистор – это полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость электрического сопротивления от механической деформации. Назначение

Выпрямительные диоды.
Выпрямительным диодом называется полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный в силовых цепях, то есть в источниках питания. Выпрями

Стабилитроны
Стабилитроны -полупроводниковые диоды, напряжение на которых в области электрического пробоя слабо зависит от тока. Их используют для стабилизации напряжения. Рабоч

Варикапы
Варикапом называется полупроводниковый диод, у которого в качестве основного параметра используется барьерная ёмкость, величина которой варьируется при изменении обратного напр

Импульсные диоды
Импульсные диоды применяются в маломощных схемах с импульсным характером подводимого напряжения. Отличительное требование к ним – малое время перехода из закрытого состояния в

Диоды Шоттки
      Рис.1.17   Рис.1.18 Для уменьшения влияния диффузионной ёмкости (Сдиф

Туннельные диоды
Туннельные диоды — диоды, в основе которых использован туннельный эффект. Любой двухполюсник, имеющий на ВАХ участок отрицательного дифференциального сопротивления, може

Принцип действия
Источник Е внешнего питающего напряжения подключен к аноду положительным относительно катода полюсом. Если ток Iу через управляющий электрод триодного тиристора равен нулю,

Тема 5. Выпрямители
Структурная схема и параметры выпрямителей   Выпрямитель - это устройство, преобразующее переменный ток в постоянный.  

Тема 6. Элементы Оптоэлектроники
  Источники оптического излучения: принцип действия, основные параметры, характеристики Источником оптического излучения называют устройство, преобразующее л

Характеристики полупроводниковых материалов
  При рассмотрении процесса излучения света источником либо его поглощения фотодиодом свет рассматривается с квантовой точки зрения. Частицы света называются фотонами. Сущест

Тема 7. Магнитоуправляемые элементы.
Магнитоуправляемые логические микросхемы, используются в устройствах самого разнообразного назначения. В настоящее время наиболее широкое распространение получили универсальные

Датчик Холла
Принцип действия датчиков основан на эффекте Холла. Основные преимущества этих датчиков заключается в отсутствии механических движущихся частей и высоком быстродействии (до 100 кГц). Благодаря этом

Магниторезисторы
Магниторезисторы - это электронные компоненты, действие которых основано на изменении электрического сопротивления полупроводника (или металла) при воздействии на него магнитно

Магнитотранзисторы
Из известных полупроводниковых преобразователей магнитного поля наиболее перспективными считаются магниточувствительные транзисторы - приборы, об падающие высокой чувствительностью и разрешающей сп

Устройство и принцип действия
Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности и пригодный для усиления мощности. Выпускаемые в настоящее время

Характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ
Входной характеристикой является зависимость: IЭ = f(UЭБ) при UКБ = const (рис. 4.4, а). Выходной характеристикой является зависимость: IК = f(UКБ) при IЭ = const (рис. 4

Основные параметры
Для анализа и расчета цепей с биполярными транзисторами используют так называемые h – параметры транзистора, включенного по схеме ОЭ. Электрическое состояние транзистора, включенного по сх

Простейший усилительный каскад на биполярном транзисторе
Наибольшее применение находит схема включения транзистора по схеме с общим эмиттером (рис. 4.7) Основными элементами схемы являются источник питания Ек, управляемый элемент – транзисторVT

Тема 9. Полевые транзисторы
Полевой транзистор – это электропреобразовательный прибор, в котором ток, протекающий через канал, управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между

Устройство и принцип действия
Полевой транзистор с управляющим р-n- переходом – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-n-переходом, смещенным в обратном направлении.  

Статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-n- переходом
Рассмотрим вольт - амперные характеристики полевых транзисторов с р-n- переходом. Для этих транзисторов представляют интерес два вида вольт - амперных характеристик: стоковые и стоко - затворные.

Устройство и принцип действия
Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП - транзистор) – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. МДП - транзисторы (с

Статические характеристики МДП - транзисторов
Стоковые (выходное) характеристики полевого транзистора со встроенным каналом n- типа Ic = f(Uси) показаны на рис. 5.4, б. При Uзи = 0 через прибор протекает ток, определяемый исходной про

Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах
В настоящее время широко применяются усилители, выполненные на полевых транзисторах. На рис. 5.9 приведена схема усилителя, выполненного по схеме с ОИ и одним источником питания.  

Тема 10. Составные транзисторы.
Составным транзистором называется соединение двух и более транзисторов, эквивалентное одному транзистору, но с большим коэффициентом усиления или другими отличительными свойств

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги