Расчет неинвертирующего ОУ и анализ его погрешностей

Расчет неинвертирующего ОУ и анализ его погрешностей. Исходные данные 1 Кu70 2 Uвх.ном.450 mV 3 Rвх.6 МОм 4 прив.1 5 Диапазон рабочих температур t2010C Проанализируем погрешность, для чего примем исходную мультипликативную и аддитивную погрешности равными по величине. 1 1. Проанализируем аддитивную составляющую погрешности проектируемого ОУ 1.1 Вычислим погрешность от ЭДСсм. есм.1010-6 mV 2 Следовательно нет необходимости проводить дополнительную корректировку дрейфа нуля, обусловленную ЭДС смещения. 2. Анализ составляющей погрешности от входных токов. 2.1 Примем погрешность от входных токов равную 0.01, определим по выражению 3 Из этой формулы определим допустимую величину R2, для чего в формулу 3 подставим значение i7510-9 А и - коэффициент усиления по неинвертирующему входу 4 2.2 Определим суммарную погрешность от дрейфа нуля аддитивную погрешность 5 2.3 Определим величину сопротивления 6 2. Проанализируем мультипликативную составляющую погрешности 2.1 Вычислим погрешности обусловленные неточностью подгонки резисторов R3, R4. Тогда погрешность от нестабильности сопротивлений резисторов может быть определена Пусть R15 от R1 и равна 2100 Ом тогда Проанализируем вторую составляющую мультипликативной составляющей погрешности от нестабильности коэффициента усиления ОУ, принимая отношение и в соответствии с формулой Как видно из формулы изменения кu будет вносить тем меньшую погрешность, чем большее усиление по замкнутому контуру к петлевое усиление.

Глубина ООС 1к СПЕЦИФИКАЦИЯ Поз. обозначениеНаименованиеКолПримечаниеКонд енсаторыC1, С2К53-30-0.1 мкФ2C3К50-30-0.5 мкФ1C4, С52.2 мкФ2C6500 мкФ1С7, С822 мкФ2Операционные усилителиD1К140УД26D2, D3К140УД8А2РезисторыR1МЛТ - 0.25 - 820 Ом1R2МЛТ - 0.25 - 820 Ом1R3МЛТ - 0.25 - 42 кОм1R4МЛТ - 0.25 - 600 Ом1R5МЛТ - 0.25 - 600 Ом1R6МЛТ - 0.25 - 1.2 кОм1R7МЛТ - 0.25 - 1.2 кОм1R8МЛТ - 0.25 - 3.9 кОм1R9МЛТ - 0.25 - 3.9 кОм1R10МЛТ - 0.25 - 1 кОм1R11МЛТ - 0.25 - 10 кОм1R12МЛТ - 0.25 - 4.7 кОм1R13МЛТ - 0.25 - 15 кОм1R14МЛТ - 0.25 - 4.7 кОм1R15МЛТ - 0.25 - 10 кОм1R16МЛТ - 0.25 - 10 кОм1ТрансформаторТ11ДиодыVD1К510А1VD2-VD 5К510А4VD6Д814А1ТранзисторыVT1КП304А1VT2 КТ315Б1VT3КТ203Б1VT4П701Б1VT5П605А1