ВЫКЛЮЧЕНИЕ ТРАНЗИСТОРНОГО КЛЮЧА. Когда в момент времени t3 происходит переключение входного напряжения с Uб на Uб- см. рис. 7.3, начинается процесс выключения транзисторного ключа.
При переключении входного напряжения ток базы меняет направление и становится равным Стадия рассасывания.
В результате изменения направления базового тока начинается процесс рассасывания неосновных носителей. Несмотря на уменьшение заряда, транзистор некоторое время находится в режиме насыщения и коллекторный ток остается равным Iк нас В момент времени t4 см. рис. 7.5 концентрация неосновных носителей около коллекторного перехода уменьшается до нуля и на коллекторном переходе восстанавливается обратное напряжение.
Таким образом, интервал времени tрас t4 t3 определяет задержку среза импульса коллекторного тока. Время tрас, которое называется временем рассасывания, можно определить из уравнения 7.6, положив Переходя от изображения к оригиналу, получим Этап рассасывания заканчивается, когда транзистор входит в активный режим, и если положить, что в момент времени t4 объемный заряд qt4 tнас Iк нас h21э, то получим 7.12 Иногда зарядом qt4 пренебрегают, и формула для расчета времени рассасывания принимает вид Стадия формирования спада.
В дальнейшем начинается уменьшение базового и коллекторного токов, что сопровождается увеличением напряжения uкэ и формируется спад вершины импульса коллекторного тока. Процессы, протекающие в транзисторном ключе в этой стадии, довольно сложны, и количественная оценка длительности спада зависит от того, какие факторы превалируют.
Принимая во внимание, что в момент окончания стадии спада qt5 0, получаем 7.13 Данная формула получена при довольно грубом приближении, поскольку в действительности ток базы не остается постоянным и нельзя пренебрегать токами зарядки и емкости нагрузки транзисторного ключа. Когда определяющим является процесс зарядки этих емкостей, то длительность спада рассчитывается по формуле 5.