Расчет Y -параметров транзистора. Основными активными приборами усилительных устройств радиочастотного диапазона являются биполярные и полевые транзисторы.
Расчет характеристик усилителей умеренно высоких частот удобно проводить по Y-параметрам транзисторов, определенным для выбранной рабочей точки РТ по постоянному ток и схемы включения ОЭ, ОБ, ОК, ОИ, ОЗ, ОС . В инженерной практике широко используется физическая эквивалентная схема биполярного транзистора, представленная на Рисунок 2, которая достаточно точно отражает его свойства в частотном диапазоне до, где - граничная частота усиления тока базы в схеме с общим эмиттером ОЭ . Рисунок 2 Рассчитывают элементы эквивалентной схемы и Y-параметры биполярного транзистора по справочным данным, где для типового режима работы заданной РТ обычно приводятся следующие электрические параметры постоянное напряжение коллектор-эмиттер постоянный ток коллектора статический коэффициент усиления тока базы в схеме с ОЭ модуль коэффициента усиления тока базы на частоте или постоянная времени цепи обратной связи, где - технологический параметр, лежащий в пределах 3 4 для мезатранзисторов и 4 10 для планарных емкость коллекторного перехода.
Элементы эквивалентной схемы определяется с помощью следующих соотношений.
Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода . 3.1 Параметр, характеризующий активность транзисторов. Сопротивление растекания базы . 3.2 Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода . 3.3 Емкость эмиттерного перехода . 3.4 Собственная постоянная времени транзистора . 3.5 Для удобства часто пользуются расчетами активных и реактивных составляющих проводимостей по формулам, максимально использующим данные транзисторов.
При этом предварительно вычисляют входное сопротивление в схеме ОБ на низкой частоте , 3.6 и граничную частоту по крутизне . 3.7 Вводя обозначения и, расчет Y-параметров ведут по следующим формулам , 3.8 3.9 , 3.10 3.11 , 3.12 3.13 , 3.14 . 3.15