Интегральная микросхема КР1533ТВ6

ГОСКОМСТАТ РФ УФИМСКИЙ КОЛЛЕДЖ СТАТИСТИКИ, ИНФОРМАТИКИ И ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ. Предмет Микросхемотехника Интегральная микросхема КР1533ТВ6 Пояснительная записка к курсовой работе. Руководитель 2001 год Студент 2001 год Уфа 2001 Госкомстат Российской Федерации Уфимский колледж статистики информатики и вычислительной техники Утверждаю 2001 год. ЗАДАНИЕ На курсовую работу по теме Интегральная микросхема КР1533ТВ6 Студента дневного отделения Группа 3А-1, специальность 2202 Ф.И.О. При выполнении курсовой работы должны быть предоставлены 1. Пояснительная записка, состоящая из следующих разделов 1. Введение. 2. Микросхемотип. 2. Графическая часть 2.1. Схема. 2. Общий вид. 3. Список литературы Задание к выполнению получил 15 марта 2001г. Студент группы 3А-1 Срок окончания 2001г. Руководитель курсовой работы ЗАКЛЮЧЕНИЕ На курсовую работу Студента дневного отделения Группа 3А-1, специальность 2202 ,Ф.И.О. Тема курсовой работы Интегральная микросхема КР1533ТВ6 . Текст заключения Руководитель курсовой работы 2001г. Аннотация Данная курсовая работа по предмету Микросхемотехника содержит описание интегральной микросхемы КР1533ТВ6. В курсовой работе приводится подробное описание, применение и технология изготовления этой микросхемы. 13 968-К-2001 2202 КП-ПЗ Изм Лист Документа Подпись Дата . Разраб Проверил . Лист Листов УКСИВТ, 3А-1 Содержание Стр. 1. Введение 2. Микросхемотип . 3. Описание схемы 4. Графическая часть 4.1 Схема . 4.2 Общий вид 5. Технология изготовления 6. Используемая литература 1. Введение Научно-технический прогресс не возможен без элекрофикации всех отраслей народного хозяйства. Потребности народного хозяйства в электрической энергии непрерывно растут, что приводит к увеличению ее производства.

Современный этап научно-технического прогресса характеризуется широким внедрением достижений микро электротехники в создание изделий культурно-бытового и хозяйственного назначения.

Наука стала непосредственной производительной силой, а научные достижения оказались в существеннейшей степени зависящими от уровня развития и возможностей современных технологий.

Электронные приборы составляют основу важнейших средств современной связи, автоматики, измерительной техники.

Они помогают проникнуть в тайны микромира и космоса, измерить электрические потенциалы живой клетки и атомарные шероховатости обрабатываемой поверхности.

Эти приборы преобразуют солнечное излучение в электрическую энергию, питающую спутники. На основе электроники реален переход к полностью автоматизированному производству. Уже сейчас применяются станки с числовым программным управлением и промышленные работы. Качественным скачком в развитии электроники было создание в последнее два десятилетия микросхем с последовательно и быстро увеличивающейся степенью интеграции электронных элементов ИС, БИС, СБИС. Ускоренно развивается производство технически сложной бытовой аппаратуры длительного пользования с улучшенными потребительскими и эстетическими свойствами, полученными благодаря использованию современных компонентов и, в первую очередь, интегральных микросхем. Применение современной элементной базы позволило не только усовершенствовать старые, но и создать новые методы проектирования, конструирования и производства бытовой радиоаппаратуры, улучшить ее технические и эксплуатационные характеристики.

Малые габариты, масса, потребляемая мощность, высокая надежность, долговечность, многообразное функциональное значение дали возможность создать такие устройства, как персональный микрокасетный проигрыватель, видеомагнитофон и др. 13 Ч-777-2202 КППЗ Лист 5 Изм. Лист Докум. Подпись Дата 2.

Микросхемотип

0, на инверсном - лог. Для переключения триггера важна информация на входах J и К непосредств... 0 на лог. Входы S тех триггеров, гдеих два, собраны как логический элемент ИЛИ д... Дополнительная информация - технические условия бК0.348.80бт35ТУ.

Графическая часть

Разраб Проверил. Лист Листов УКСИВТ, 3А-1 Функциональная схема 4.2 . Разраб Проверил. Схема Условное графическое обозначение Таблица назначения выводов Номе... Лист Листов УКСИВТ, 3А-1 09 C2 Вход тактовый 10 Вход установки нуля тр...

Общий вид

Разраб Проверил. Разраб Проверил. Разраб Проверил. На начальных этапах изготовления ИМС слой толщиной 1-3 мкм используют ... Примесь диффундирует в глубь пластины через окна, вскрытые в слое ЗЮд.

Введение

Введение

Введение

Введение примесей в широком диапазоне концентраций и возможность осуществления более точного контроля дозировок примесей позволяют изменять параметры элементов в требуемых пределах. Поэтому вместо диффузии все больше применяют ионное легирование, хотя ее внедрение связано с переоснащением производства ИМС дорогостоящим оборудованием.

В производстве полупроводниковых ИС и многих дискретных приборов необходимо на подложке создавать однородно легированные по толщине слои одноименного ей полу проводника, а в некоторых случаях - и полупроводника другого вида, с иной шириной запрещенной зоны. В частности, это необходимо для расширения функциональных возможностей схем, улучшения их параметров путем, например, формирования скрытых под такими слоями участков высокой проводимости скрытых слоев. Термин эпитаксия, впервые предложенный Руайе, отражает в настоящее время процесс ориентированного нарастания, в результате которого образующаяся новая фаза закономерно продолжает кристаллическую решетку имеющейся фазы - подложки с образованием некоторого переходного слоя, способствующего когерентному срастанию двух решеток по плоскости подложки со сходной плотностью упаковки атомов.

По окончании формирования переходного слоя эпитаксиальный процесс продолжается с образованием слоя требуемой толщины.

Эпитаксиальный слой ЭС - это монокристаллический слой новой фазы, выросший в результате эпитаксии на поверхности монокристаллической подложки строго определенным образом, который имеет прочную кристаллохимическую связь с подложкой и не может быть отделен от нее без разрушения слоя или поверхности подложки. ЭС практически продолжает кристаллическую решетку подложки и ориентирован строго определенным образом относительно кристаллографической плоскости, выходящей на ее поверхность.

Основное физическое явление, которое имеет место в процессе эпитаксии это кристаллизация вещества. Под кристаллизацией вещества понимают появление зародышей твердой фазы и их рост. В зависимости от того, из каких составов получают ЭС, различают следующие механизмы кристаллизации Механизм пар - кристалл П - К , когда образование твердой фазы происходит из парообразного или газообразного состояния вещества Механизм пар - жидкость - кристалл П - Ж - К , когда образование твердой фазы из парообразного состояния проходит стадию жидкого состояния.

Примером может служить кристаллизация Ge на подложке Si, если последнюю нагреть до температуры, превышающей температуру плавления Ge Механизм твердое тело - кристалл Т - К , когда выращивание эпитаксиального слоя производится из электролитов или расплавов.

Эпитаксию применяют для выращивания на поверхности кремниевой пластины полупроводникового слоя с п- или р-проводимостью. Такой слой толщиной несколько микрон образуется при пропускании над нагретой до 1250 С подложкой потока газа, содержащего несколько соединений, которые, вступая в химическую реакцию, разлагаются на части и приводят к образованию эпитаксиального слоя с n- или р-проводимостью на поверхности пластины. Напыление и нанесение пленок.

Элементы полупроводни ковых ИМС соединяются между собой с помощью проводящего рисунка, полученного путем напыления металлической пленки. Для этого после вытравления с помощью фотолитографии окон под контакты в вакууме напыляется алюминиевая пленка на всю поверхность пластины. Путем напыления формируют также металлизированные площадки, к которым путем термокомпрессионной сварки привариваются выводы микросхемы и тонкие проволочки, соединяющие бескорпусные транзисторы в гибридных ИМС. В последнее время вместо проволочных перемычек применяют балочные выводы, представляющие собой золотые удлиненные выступы.

Во время сборки гибридной ИМС балочные выводы совмещают с контактными площадками на подложке и припаивают к ним, нагревая до температуры, при которой образуется эвтектический спай. Наконец путем напыления и нанесения пленок изготавливают пассивные элементы в совмещенных и гибридных ИМС в виде толстых и тонких пленок.

Используемая литература

3. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы. Справочник. Логические интегральные схемы КР1533, КР1554 . Конструирование и технология микросхем.