рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Технология получения столбчатого мультикремния из кремния полученного методом карботермического восстановления

Работа сделанна в 1998 году

Технология получения столбчатого мультикремния из кремния полученного методом карботермического восстановления - Курсовая Работа, раздел Связь, - 1998 год - Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения Технология Получения Столбчатого Мультикремния Из Кремния Полученного Методом...

Технология получения столбчатого мультикремния из кремния полученного методом карботермического восстановления. В этом году институтом Геохимии СО РАН проводились работы по совершенствованию методик очистки кремния.

Было использовано 1Другое сырье, синтезировалось в других условиях Ирказ, где установлена специализированная печь для получения поликристаллического кремния. 2Институт применял метод рафинирования двойная перекристаллизация методом Стокбаргера. 3Получены данные химического анализа как для сырья, так и для полученных образцов, что позволяет говорить о степени очистки и судить о примесях которые определяют происходящие процессы и механизмы рассеяния в полупроводнике. 4 Необходимое дробление материла можно осуществлять разными методами, но неизбежно одно, что при использовании, скажем стального молотка, в образце растет концентрация Fe. В связи с этим, для дробления был использован молибденовая насадка для пресса, молибдена мало в исходном материале, то есть его появление можно обосновать используемой в технологическом процессе насадкой. 5 Очистка кремния методом вакуумной сублимации. В атмосфере 10-3 Тор осуществляется нагрев в ростовой печи происходит испарение примесей t плав. которых меньше t плав. кремния. 1450С. Дальше доводят температуру в печи до температуры плавления и выдерживают некоторое время для испарения более тугоплавких примесей.

Затем температуру поднимают на отметку 50-70С выше температуры плавления для испарения еще более тугоплавких примесей и выдерживают в этом режиме некоторое время.

Скорость роста при этом лежит около 0.8 смчас.

Рис.1 После роста, получаем кремний, который имеет области монокристалличности схематично изображенные на рис.1. Это так называемый, столбчатый мультикремний. 2.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения

Наиболее чистые материалы получают путем синтеза кремния в газовую фазу SiCl3, последующую очистку и восстановления чистого кремния. Данный метод достаточно дорог для солнечной энергетики, так как в солнечных… В связи с этим, рядом научных и производственных объединений Иркутской области ведутся работы по получению более…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Технология получения столбчатого мультикремния из кремния полученного методом карботермического восстановления

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Электрофизические параметры и зависимость их от технологий производства
Электрофизические параметры и зависимость их от технологий производства. Электрофизические параметры образцов приведены в таблице 1. NТип провод. Ом см Ом-1 см-1 R см3 кn см-3 см3 в сd см7-1N0.1456

Понятие времени жизни
Понятие времени жизни. неравновесных носителей заряда. В полупроводнике 5,7 под влиянием внешнего воздействия концентрации электронов и дырок могут изменяться на много порядков. При термодин

Установка для измерения жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках
Установка для измерения жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках. В данной работе описана установка См. приложение 2 Принципиальная схема устройства. для определения времени жи

Использованные источники
Использованные источники. А.И.Непомнящих. Рост кристаллов. Курс лекции. ИГУ. 1997. 2.Л.П.Павлов. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. Москва. Высшая школа. 19

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги