Реферат Курсовая Конспект
Работа сделанна в 1998 году
Электрофизические параметры и зависимость их от технологий производства - Курсовая Работа, раздел Связь, - 1998 год - Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения Электрофизические Параметры И Зависимость Их От Технологий Производства. Элек...
|
Электрофизические параметры и зависимость их от технологий производства. Электрофизические параметры образцов приведены в таблице 1. NТип провод. Ом см Ом-1 см-1 R см3 кn см-3 см3 в сd см7-1N0.1456.85058.1401.171017355.040.20 7-2N0.07713.0450.2501.241017655.260.198- 1N5.2600.190566.601.101016107.650.208-2N 1.2050.83027.3202.28101722.6800.209-1N0. 4702.32025.6002.44101759.4000.189-2N1.58 80.63026.3252.37101716.5800.2810-1N1.240 0.80013.0504.79101710.4500.1710-2N0.6701 .49031.4101.99101746.7000.2010-3P1.9200. 52017.3603.60101710.4500.1711-1P1.3900.7 3531.0002.00101722.3000.3011-2P0.6701.50 022.3002.80101733.8000.2913-1P0.2743.650 13.8904.50101751.0000.2013-2P0.2553.9202 5.0002.50101798.0000.1714-1P0.1925.2009. 87506.30101751.3500.1414-2P0.1656.0606.3 9009.78101738.7200.1615-1P0.1815.5254.54 001.38101825.0800.1515-2P0.2603.8464.680 01.34101818.0000.1216-1P0.09410.706.2000 1.00101866.3400.2616-2P0.1049.5907.45008 .39101771.4400.2421-1P0.09410.648.47007. 38101790.1000.2021-2P0.08911.248.81007.1 0101799.0000.2021-4P0.09310.728.13007.69 101787.2000.20 Таблица 1 -образец перекристаллизован два раза Анализ результатов позволяет сделать некоторые выводы о зависимости от параметров 1 В образцах, которые были перекристаллизованы два раза ощутимо меньше удельная электропроводность, по сравнению с предыдущими образцами. 2 У этих образцов выше подвижность, что позволяет говорить о меньшем количестве примесей о более глубокой очистке при данном методе.
В данных химического анализа См. приложение 1 Результаты визуально полуколичественного атомно-эмиссионого анализа образцов Si Результаты масс-спектрометрического анализа P и B 10-4 , можно видеть 1 Содержание всех элементов, кроме бора и фосфора, в сырье выше, чем в образцах очищенных кристаллизацией. 2 Бор и фосфор не изменяют свой концентрации при росте кристалла из сырья, и эта концентрация составляет приблизительно 1017 см-3, этот порядок совпадает с порядком величины концентрации носителей заряда в образцах.
Это позволяет сделать вывод, что тип полупроводника и концентрацию носителей заряда в нашем случае определяет именно бор и фосфора. 3. Диффузионная длина, фотопроводимость, время жизни.
Для полного исследования образцов кремния на предмет применимости их в качестве солнечных элементов, недостаточно всех вышеупомянутых методов, позволяющих контролировать основные электрофизические параметры.
Необходимо представлять кинетику происходящих в полупроводнике процессов. Основой кинетической характеристикой 7 полупроводниковых материалов является диффузионная длина пробега длина L на которой p или n уменьшаться в e раз в отсутствии внешнего поля. Прямым методом это измерить в нашем случае затруднительно из-за большого количества примесей.
Поэтому наша задача измерить время жизни неравновесных носителей заряда . 3.1
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
Наиболее чистые материалы получают путем синтеза кремния в газовую фазу SiCl3, последующую очистку и восстановления чистого кремния. Данный метод достаточно дорог для солнечной энергетики, так как в солнечных… В связи с этим, рядом научных и производственных объединений Иркутской области ведутся работы по получению более…
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Электрофизические параметры и зависимость их от технологий производства
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов