Электрофизические параметры и зависимость их от технологий производства. Электрофизические параметры образцов приведены в таблице 1. NТип провод. Ом см Ом-1 см-1 R см3 кn см-3 см3 в сd см7-1N0.1456.85058.1401.171017355.040.20 7-2N0.07713.0450.2501.241017655.260.198- 1N5.2600.190566.601.101016107.650.208-2N 1.2050.83027.3202.28101722.6800.209-1N0. 4702.32025.6002.44101759.4000.189-2N1.58 80.63026.3252.37101716.5800.2810-1N1.240 0.80013.0504.79101710.4500.1710-2N0.6701 .49031.4101.99101746.7000.2010-3P1.9200. 52017.3603.60101710.4500.1711-1P1.3900.7 3531.0002.00101722.3000.3011-2P0.6701.50 022.3002.80101733.8000.2913-1P0.2743.650 13.8904.50101751.0000.2013-2P0.2553.9202 5.0002.50101798.0000.1714-1P0.1925.2009. 87506.30101751.3500.1414-2P0.1656.0606.3 9009.78101738.7200.1615-1P0.1815.5254.54 001.38101825.0800.1515-2P0.2603.8464.680 01.34101818.0000.1216-1P0.09410.706.2000 1.00101866.3400.2616-2P0.1049.5907.45008 .39101771.4400.2421-1P0.09410.648.47007. 38101790.1000.2021-2P0.08911.248.81007.1 0101799.0000.2021-4P0.09310.728.13007.69 101787.2000.20 Таблица 1 -образец перекристаллизован два раза Анализ результатов позволяет сделать некоторые выводы о зависимости от параметров 1 В образцах, которые были перекристаллизованы два раза ощутимо меньше удельная электропроводность, по сравнению с предыдущими образцами. 2 У этих образцов выше подвижность, что позволяет говорить о меньшем количестве примесей о более глубокой очистке при данном методе.
В данных химического анализа См. приложение 1 Результаты визуально полуколичественного атомно-эмиссионого анализа образцов Si Результаты масс-спектрометрического анализа P и B 10-4 , можно видеть 1 Содержание всех элементов, кроме бора и фосфора, в сырье выше, чем в образцах очищенных кристаллизацией. 2 Бор и фосфор не изменяют свой концентрации при росте кристалла из сырья, и эта концентрация составляет приблизительно 1017 см-3, этот порядок совпадает с порядком величины концентрации носителей заряда в образцах.
Это позволяет сделать вывод, что тип полупроводника и концентрацию носителей заряда в нашем случае определяет именно бор и фосфора. 3. Диффузионная длина, фотопроводимость, время жизни.
Для полного исследования образцов кремния на предмет применимости их в качестве солнечных элементов, недостаточно всех вышеупомянутых методов, позволяющих контролировать основные электрофизические параметры.
Необходимо представлять кинетику происходящих в полупроводнике процессов. Основой кинетической характеристикой 7 полупроводниковых материалов является диффузионная длина пробега длина L на которой p или n уменьшаться в e раз в отсутствии внешнего поля. Прямым методом это измерить в нашем случае затруднительно из-за большого количества примесей.
Поэтому наша задача измерить время жизни неравновесных носителей заряда . 3.1