Реферат Курсовая Конспект
Работа сделанна в 1998 году
Установка для измерения жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках - Курсовая Работа, раздел Связь, - 1998 год - Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения Установка Для Измерения Жизни Неравновесных Носителей Заряда В Полупроводника...
|
Установка для измерения жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках.
В данной работе описана установка См. приложение 2 Принципиальная схема устройства. для определения времени жизни в низкоомных полупроводниках5. Действие установки основано ни измерении частотной зависимости нестационарной фотопроводимости полупроводникового образца, возбуждаемой и.к. -светодиодами и измеряемый с использованием синхронного детектирования.
Действие и.к-излучения, модулированного прямоугольными импульсами на полупроводниковый образец приводит к возникновению в нем фотопроводимости. Ее спад и нарастание будем считать экспоненциальными. Эффективное время спада фотопроводимости при этом можно считать равным эффективному времени жизни неравновесных носителей заряда. График 1 Зависимость постоянного выходного напряжения от частоты входного синусоидального напряжения имеет вид как на графике 1. Uf U01-2f th2f-1 4.1 Uf0 0.8U0 4.2 10f0-1 T0 4.3 Таким образом, определив частоту входного сигнала f0, при котором Uf0 0.8U0, можно определить время жизни неравновесных носителей. Нужно отметить, на сложность, которая возникла в процессе работы.
В связи с большой концентрацией примесей и образованием ловушек кинетика спада и нарастания фотопроводимости сильно замедлена по сравнению с ожидаемыми данными. В этом направлении автор и планирует работать в следующем году.
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
Наиболее чистые материалы получают путем синтеза кремния в газовую фазу SiCl3, последующую очистку и восстановления чистого кремния. Данный метод достаточно дорог для солнечной энергетики, так как в солнечных… В связи с этим, рядом научных и производственных объединений Иркутской области ведутся работы по получению более…
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Установка для измерения жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов