Установка для измерения жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках.
В данной работе описана установка См. приложение 2 Принципиальная схема устройства. для определения времени жизни в низкоомных полупроводниках5. Действие установки основано ни измерении частотной зависимости нестационарной фотопроводимости полупроводникового образца, возбуждаемой и.к. -светодиодами и измеряемый с использованием синхронного детектирования.
Действие и.к-излучения, модулированного прямоугольными импульсами на полупроводниковый образец приводит к возникновению в нем фотопроводимости. Ее спад и нарастание будем считать экспоненциальными. Эффективное время спада фотопроводимости при этом можно считать равным эффективному времени жизни неравновесных носителей заряда. График 1 Зависимость постоянного выходного напряжения от частоты входного синусоидального напряжения имеет вид как на графике 1. Uf U01-2f th2f-1 4.1 Uf0 0.8U0 4.2 10f0-1 T0 4.3 Таким образом, определив частоту входного сигнала f0, при котором Uf0 0.8U0, можно определить время жизни неравновесных носителей. Нужно отметить, на сложность, которая возникла в процессе работы.
В связи с большой концентрацией примесей и образованием ловушек кинетика спада и нарастания фотопроводимости сильно замедлена по сравнению с ожидаемыми данными. В этом направлении автор и планирует работать в следующем году.