Особенности топологии разрабатываемой ИМС. Для построения чертежей кристалла и фотошаблонов используется программа АutоСАD 2000 разработчик - компания Autodesk. При построении чертежей фотошаблонов учтены допуски на минимальные расстояния между отдельными элементами интегральной микросхемы Все резисторы данной схемы реализуются в базовом слое. Следовательно на n карман в котором они находятся подается максимальное напряжение действующее в этой схеме т.е. напряжение питания.
Конденсаторы данной ИМС реализуются по МДП-технологии, что предполагает дополнительный этап фотолитографии для создания слоя тонкого диэлектрика МДП-структуры.
На этапах изготовления ИМС используется негативный фоторезист, кроме этапа разделительной р диффузии когда используется позитивный фоторезист.
Топология кристалла и фотошаблонов представлена на чертежах.
Выводы.
В данной работе была разработана топология и рассчитаны параметры интегральной логической схемы резисторно-емкостной транзисторной логики РЕТЛ . Приведенные расчеты подтверждают полное соответствие разработанной ИМС требованиям технического задания.
Топология микросхемы разработана с учетом технологических возможностей оборудования.
Линейные размеры элементов и расстояния между ними больше минимально допустимых, что обеспечит меньшую погрешность при производстве, а следовательно, и больший выход годных изделий при групповом производстве.
Электрические параметры схемы учитывают работу схемы в реальных условиях, а именно скачки питающего напряжения и напряжения на логических входах.
Расчеты параметров элементов схемы предусматривают ее эксплуатацию в климатических условиях, характерных для широты Украины.
Разработанная ИМС полностью пригодна для эксплуатации в современной электронной аппаратуре.