Параметры и характеристики оптопар и оптоэлектронных интегральных микросхем

Параметры и характеристики оптопар и оптоэлектронных интегральных микросхем. КЛАССИФИКАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ИЗДЕЛИЙ ОПТРОННОИ ТЕХНИКИ При классификации изделий оптронной техники учитывается два момента тип фотоприемного устройства и конструктивные особенности прибора в целом. Выбор первого классификационного признака обусловлен тем, что практически у всех оптронов на входе помещен светодиод и функциональные возможности прибора определяются выходными характеристиками фотоприемного устройства.

В качестве второго признака принято конструктивное исполнение, которое определяет специфику применения оптрона.

Используя этот смешанный конструктивно-схемотехнический принцип классификации, логично выделить три основные группы изделий оптронной техники оптопары элементарные оптроны, оптоэлектронные оптронные интегральные микросхемы и специальные виды оптронов.

К каждой из этих групп относится большое число видов приборов. Для наиболее распространенных оптопар используются следующие сокращения Д - диодная, Т - транзисторная, R - резисторная, У - тиристорная, Т2 - с составным фототранзистором, ДТ - диодно-транзисторная, 2Д 2Т - диодная транзисторная дифференциальная.

Система параметров изделий оптронной техники базируется на системе параметров оптопар, которая формируется из четырех групп параметров и режимов. Рис 3.1. К определению импульсных параметров оптопар. Первая группа характеризует входную цепь оптопары входные параметры, вторая - ее выходную цепь выходные параметры, третья - объединяет параметры, характеризующие степень воздействия излучателя на фотоприемник и связанные с этим особенности прохождения сигнала через оптопару как элемент связи параметры передаточной характеристики, наконец, четвертая группа объединяет параметры гальванической развязки, значения которых показывают, насколько приближается оптопара к идеальному элементу развязки.

Из четырех перечисленных групп определяющими, специфически оптронными являются параметры передаточной характеристики и параметры гальванической развязки. Важнейшим параметром диодной и транзисторной оптопар является коэффициент передачи тока. Определение импульсных параметров оптронов ясно из рис. 3.1 . Отсчетными уровнями при измерении параметров tнар сп, tзд, и tвкл выкл обычно служат уровни 0.1 и 0.9, полное время логической задержки сигнала определяется по уровню 0,5 амплитуды импульса.

Рис. 3.2. Условные обозначения оптопар. Параметрами гальванической развязки. Оптопар являются максимально допустимое пиковое напряжение между входом и выходом Uразв п max максимально допустимое напряжение между входом и выходом Uразв max сопротивление гальванической развязки Rразв проходная емкость Cразв максимально допустимая скорость изменения напряжения между входом в выходом dUразв dt max. Важнейшим является параметр Uразв п max. Именно он определяет электрическую прочность оптопары и ее возможности как элемента гальванической развязки.

Рассмотренные параметры оптопар полностью или с некоторыми изменениями используются и для описания оптоэлектронных интегральных микросхем. 3.2. ДИОДНЫЕ ОПТОПАРЫ Диодные оптопары рис. 3.2,а в большой степени, чем какие-либо другие приборы, характеризуют уровень оптронной техники.

По величине Кi можно судить о достигнутых КПД преобразования энергии в оптроне значения временных параметров позволяют определить предельные скорости распространения информации. Подключение к диодной оптопаре тех или иных усилительных элементов, весьма полезное и удобное, не может тем не менее дать выигрыша ни по энергетике, ни по предельным частотам. 3.3.