рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Связь
/
Вид работы: Курсовые Работы
/
ОБЩАЯ ЧАСТЬ

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

ОБЩАЯ ЧАСТЬ

Работа сделанна в 1999 году

ОБЩАЯ ЧАСТЬ - Курсовая Работа, раздел Связь, - 1999 год - Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов Общая Часть. Техническое Задание. Техническое Задание Содержит Требования К П...

ОБЩАЯ ЧАСТЬ. Техническое задание. Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям эксплуатации практикуемого прибора. В данном случае наиболее существенны следующие параметры 1. Номинальный ток коллектора Iк ном 9мА. 2. Номинальное напряжение коллектора Uк ном 13В 3. Верхняя граничная частота f 90МГц 4. Максимальная рассеивающая мощность Рк мах 60мВт 5. Максимальное напряжение коллектора Uк мах 18В 6. Максимальный ток коллектора Iк мах 12мА 7. Максимальная рабочая температура транзистора Тк мах 74С 8. Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ в 3.2 Параметры, выбранные самостоятельно. 1. Время жизни ННЗ фср 5мкс 2. Материал кристалла Ge 3. Тип структуры p-n-p 4. Ёмкость коллекторного перехода Ск 2пФ 5. Коофициент запаса по частоте F Х1 1,6. Перепад Nб Х7. Отношение концентраций NОЭ Nб 8. Толщина диффузионного слоя hдс мкм 9. Скорость поверхностной рекомбинации Sрек слус 3.3

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных… В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский… В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии.

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: ОБЩАЯ ЧАСТЬ

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Перечень используемых обозначений
Перечень используемых обозначений. Ak - площадь коллектора Аэ - площадь эмитера a - градиент концентрации примесей - отношение подвижностей электронов и дырок Сз.к зарядная барьерная емкость коллек

Выбор технологии изготовления транзистора
Выбор технологии изготовления транзистора. Основным элементом конструкции транзистора является кристалл, или транзисторная структура кристалла, которая представляет собой полупроводниковую пластину

Сплавно-диффузионные транзисторы
Сплавно-диффузионные транзисторы. При диффузионной технологии неоднородность эмиттерной поверхности приводит к неоднородности толщины базовой области, что ухудшает возможные частотные свойст

ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ
ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ. Расчёт сплавно-диффузионного транзистора. Задачи расчёта В результате расчёта должны быть определены электрофизические и геометрические параметры транзисторной структуры, пар

Расчёт толщины базы и концентраций примесей
Расчёт толщины базы и концентраций примесей. Действующая толщина базы определяется соотношением 1 1 где tпр-время пролёта базы tпр , 2 где - коэффициент запаса по частоте f, 1,3 сек. Задавшись вели

Расчет емкостей и размеров переходов
Расчет емкостей и размеров переходов. Задача Определить барьерные зарядные емкости и величины поверхности коллекторного и эмитерного переходов, а так же геометрические размеры полупроводниковой пла

Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот
Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот. Задача определение сопротивлений эквивалентной схемы, дифференциальных, диффузионных и омических сопротивлений ЭС транзистора. Рис. 3. Эквивалентн

Расчет обратных токов коллектора
Расчет обратных токов коллектора. Задача определить обратный ток коллекторного перехода Iк.обр. Обратный ток коллекторного перехода состоит из 3х компонент теплового тока тока термогенерации тока о

Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры
Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры. Задача Определение величины Ikmax или Pkmax, а также толщины кристалла - заготовки и других элементов

Расчёт эксплутационных параметров
Расчёт эксплутационных параметров. Максимальная расчётная мощность находится по формуле 49 , 49 мВт 5.7.2 Рассчитаем максимальное напряжение коллектора воспользовавшись соотношением 50 Uк max , 50

Выбор корпуса транзистора
Выбор корпуса транзистора. Конструктивно корпус состоит из двух основных элементов основания и баллона. Основание включает в себя фланец, изолятор и выводы. Баллон представляет собой

Обсуждение результатов
Обсуждение результатов. Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 65, рассчитанное значение 150,7364. Данный биполярный транзистор в схеме с ОЭ обеспечит заданный коэффициент передачи тока. 2. Граничн