рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Связь
/
Вид работы: Курсовые Работы
/
Обсуждение результатов

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Обсуждение результатов

Работа сделанна в 1999 году

Обсуждение результатов - Курсовая Работа, раздел Связь, - 1999 год - Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов Обсуждение Результатов. Коэффициент Передачи Тока В Схеме С Оэ 65, Рассчитанн...

Обсуждение результатов. Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 65, рассчитанное значение 150,7364. Данный биполярный транзистор в схеме с ОЭ обеспечит заданный коэффициент передачи тока. 2. Граничные частоты коэффициента передачи тока f 90 МГц, рассчитанное значение f 103,73 МГц. При работе биполярного транзистора на частоте до f коэффициент передачи тока в схеме с ОБ будет удовлетворять заданному значению. 3. Заданное максимальное напряжение на коллекторе техническое значение Uk max 18В, рассчитанное значение Uk max 17.565 В. В соответствии с формулами 5 и 50 Uk max зависит от величин 1-бо и ск. Первоначально Uk max было расчитанно для б 03986, тогда как при расчёте Uk max по формуле б бралось равным б 0,991. Отсюда следует, что 1-б е уменьшилось, и рассчитанное значение оказалось меньше Uk max из ТЗ. 4. Максимальная мощность, рассеиваемая в коллекторе Pk max 60 мВт, рассчитанное значение Pk max 60 мВт. 5. Максимальный ток коллектора Ik max 12 мА, рассчитанное значение Ik max 12 мА. При работе биполярного транзистора максимальный ток коллектора будет соответствовать заданному значению.

В ходе проделанной работы были приобретены практические навыки решения задачи создания дискретных полупроводниковых приборов. 8. Выводы В ходе проделанной работы были приобретены практические навыки решения инженерных задач создания дискретных полупроводниковых приборов. Нами были выбраны и рассчитаны основные параметры транзистора.

Расхождения в сторону ухудшения составляют не более Нами также были выбраны технология изготовления транзистора, его корпус и материалы, применяемые в призводстве. 9.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных… В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский… В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии.

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Обсуждение результатов

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

ОБЩАЯ ЧАСТЬ
ОБЩАЯ ЧАСТЬ. Техническое задание. Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям эксплуатации практикуемого прибора. В данном случае наиболее существенны следующие параметры 1. Ном

Перечень используемых обозначений
Перечень используемых обозначений. Ak - площадь коллектора Аэ - площадь эмитера a - градиент концентрации примесей - отношение подвижностей электронов и дырок Сз.к зарядная барьерная емкость коллек

Выбор технологии изготовления транзистора
Выбор технологии изготовления транзистора. Основным элементом конструкции транзистора является кристалл, или транзисторная структура кристалла, которая представляет собой полупроводниковую пластину

Сплавно-диффузионные транзисторы
Сплавно-диффузионные транзисторы. При диффузионной технологии неоднородность эмиттерной поверхности приводит к неоднородности толщины базовой области, что ухудшает возможные частотные свойст

ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ
ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ. Расчёт сплавно-диффузионного транзистора. Задачи расчёта В результате расчёта должны быть определены электрофизические и геометрические параметры транзисторной структуры, пар

Расчёт толщины базы и концентраций примесей
Расчёт толщины базы и концентраций примесей. Действующая толщина базы определяется соотношением 1 1 где tпр-время пролёта базы tпр , 2 где - коэффициент запаса по частоте f, 1,3 сек. Задавшись вели

Расчет емкостей и размеров переходов
Расчет емкостей и размеров переходов. Задача Определить барьерные зарядные емкости и величины поверхности коллекторного и эмитерного переходов, а так же геометрические размеры полупроводниковой пла

Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот
Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот. Задача определение сопротивлений эквивалентной схемы, дифференциальных, диффузионных и омических сопротивлений ЭС транзистора. Рис. 3. Эквивалентн

Расчет обратных токов коллектора
Расчет обратных токов коллектора. Задача определить обратный ток коллекторного перехода Iк.обр. Обратный ток коллекторного перехода состоит из 3х компонент теплового тока тока термогенерации тока о

Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры
Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры. Задача Определение величины Ikmax или Pkmax, а также толщины кристалла - заготовки и других элементов

Расчёт эксплутационных параметров
Расчёт эксплутационных параметров. Максимальная расчётная мощность находится по формуле 49 , 49 мВт 5.7.2 Рассчитаем максимальное напряжение коллектора воспользовавшись соотношением 50 Uк max , 50

Выбор корпуса транзистора
Выбор корпуса транзистора. Конструктивно корпус состоит из двух основных элементов основания и баллона. Основание включает в себя фланец, изолятор и выводы. Баллон представляет собой