Перечень используемых обозначений. Ak - площадь коллектора Аэ - площадь эмитера a - градиент концентрации примесей - отношение подвижностей электронов и дырок Сз.к зарядная барьерная емкость коллекторного перехода Сд.э - диффузионная емкость эмитерного перехода Сз.э - зарядная барьерная емкость эмитерного перехода Дп, Др - коэффициенты диффузии электронов и дырок Днб, Доб - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в базе Днэ, Доэ - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в эмиттере Е - напряженность электрического поля - ширина запрещенной зоны - частота - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой Т - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмитером max - максимальная частота генерации hkp - толщина кристалла hэ, hk - глубина вплавления в кристалл эмитера и коллектора Ln, Lp - средние диффузионные длины электронов и дырок Lнб, Lнэ средние диффузионные длины не основных носителей в базе и эмитере Nб, Nk, Nэ - концентрации примесей в базе, коллекторе и эмитере сплавного транзистора Nб х - концентрация примеси, формирующей проводимость базы дрейфового транзистора Nэ x - концентрация примеси, формирующей проводимость эмиттера дрейфового транзистора ni - равновесная концентрация электронов в собственном полупроводнике nn, np - равновесные концентрации электронов в полупроводниках n - типа и p - типа Р - мощность, рассеиваемая в коллекторе Pk max - предельно допустимая мощность, рассеиваемая в коллекторе Рэ - периметр эмитера Рn, Рp - равновесные концентрации дырок в полупроводниках n -типа и p - типа Rб, Rэ, Rк - радиусы электродов базы, коллектора, эмитера Rm тепловое сопротивление rб - эквивалентное сопротивление базы rб, rб - омическое и диффузное сопротивление базы rэ - сопротивление эмитера без учета эффекта Эрле rэ - сопротивление эмитера с учетом эффекта Эрле S - скорость поверхностной рекомбинации Т - абсолютная температура Тк - температура корпуса транзистора Тmax - максимально допустимая температура коллекторного перехода W - геометрическая толщина базы Wg - действующая толщина базы Uэб - напряжение эмитер-база Uкб - напряжение коллектор-база Ukpn - контактная разность потенциалов Uпроб - напряжение пробоя Uпрок - напряжение прокола транзистора Uк - напряжение коллекторного перехода Uk max - максимально допустимое напряжение на коллекторе Iэ - ток эмитера Iб - ток базы Iко - обратный ток коллектора при разомкнутом эмиттере Ikmax - максимально допустимый ток коллектора Iген - ток термогенерации в области объемного заряда Iрек - ток рекомбинации - коэффициент передачи тока в схеме с общей базой о - низкочастотное значение - коэффициент усиления тока коллекторного перехода за счет не основных носителей заряда - коэффициент передачи тока в схеме с общим эмитером - коэффициент инжекции эмитера бк - толщина коллекторного перехода - относительная диэлектирическая проницаемость о - коэффициент переноса не основных носителей заряда через область базы э, б - подвижности электронов и дырок нб, об - подвижности не основных и основных носителей заряда в базе нэ, оэ - подвижности не основных и основных носителей заряда в эмитере - круговая частота - удельное сопротивление полупроводника i - удельное сопротивление собственного полупроводника э, б, к - удельные сопротивления эмитера, базы, коллектора n, p - среднее время жизни электронов и дырок np - время пролета не основных носителей заряда через базу n - среднее время жизни носителей заряда, обусловленное поверхностной рекомбинацией - удельная теплопроводность 4.