Выбор технологии изготовления транзистора. Основным элементом конструкции транзистора является кристалл, или транзисторная структура кристалла, которая представляет собой полупроводниковую пластину со сформированными на ней эмиттерным ЭП и коллекторным КП переходами.
Другими элементами конструкции являются корпус, кристаллодержатель, выводы.
В зависимости от технических требований предъявляемых к параметрам транзистора, применяются различные методы формирования транзисторной структуры.
Низкочастотные транзисторы изготавливаются по сплавной технологии, высокочастотные - с обязательным использованием процесса диффузии примесей.
Основными разновидностями технологии изготовления высокочастотных транзисторов являются диффузионная, планарная.
Чисто диффузионная технология используется для изготовления транзисторов с fб не превышающими 50-100 МГц, сплавно- и мезо- диффузионная - для диапазонов 50-100 МГц, соответственно, планарная-для fб 0,5-5ГГц. Так как граничная частота fб составляет 250 МГц, то для изготовления выберем сплавно-диффузионную технологию. 4.1