Расчёт толщины базы и концентраций примесей. Действующая толщина базы определяется соотношением 1 1 где tпр-время пролёта базы tпр , 2 где - коэффициент запаса по частоте f, 1,3 сек. Задавшись величиной перепада концентраций примеси на границах базы х 200, выразим среднее значение концентрации примеси на границах базы по формуле 3 3 Так как , 4 необходимо определить концентрацию примеси, формирующей коллекторную область Для нахождения концентрации базы NБ используем связь напряжения пробоя Uпроб с удельным сопротивлением коллектора ск , 5 где - низкочастотное значение коэффициента передачи тока в схеме ОБ , 6 Удельное сопротивление коллектора рассчитывается по формуле 7 , 7 Для выбранного нами типа структуры транзистора Ge, p-n-p B 5.2, n 0.61, l 1 6 1 x 0.8 для дрейфовых транзисторов. Подставим численные значения в выражение 7 , а затем в 5 . 0,9903 Ом см 12,748 В По графику изображенному на рис3.3.1 найдём величину концентрации No Определим среднее значение концентрации примеси NБ, формирующий проводимость базы с помощью соотношений 3 и 4 По графику, на рис 3.4.1, найдём среднее значение подвижности не основных носителей заряда в базе Определим среднее значение коэффициента диффузии в базе, воспользовавшись соотношением 8 , 8 где - тепловой потенциал, мВ 9 Подставив вышеопределённые значения в формулу 1 , найдём действующую толщину базы. Величина концентрации примеси, формирующей проводимость базы, на поверхности кристалла NБ 0 определится из соотношения 10 , 10 где х1Б 0,2 мкм бБ - коэффициент передачи тока с общей базой , 11 1,217 10-4 Подставим численные значения в выражение 10 Задавшись величиной отношения Nоэ Nб 0 , найдём концентрацию эмиттерной примеси.
Nоэ Nб 0 3. Из соотношения 12 выразим концентрацию основных носителей эмиттера. Nоэ 3 Nб 0 Nоэ 3 3,826421 1018 см-3 Проверим не превышает ли расчётное значение напряжения пробоя коллекторного перехода Uпр величину напряжения прокола транзистора Uпрок, которое рассчитывается по формуле 13 , 13 где где , 14 Подставляя численные значения в формулы 14 и 13 , найдём величину напряжения прокола транзистора.
Значение напряжения пробоя коллекторного перехода Uпр 12.748 не превышает величину напряжения прокола транзистора Uпрок 240,0092 В Uпрок Uпр Вычислим среднее значение удельного сопротивления области базы по формуле 15 , 15 По графику приведённому на рис определим среднее значение подвижности основных носителей заряда в базе 1800 Ом см 5.2