рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Расчет емкостей и размеров переходов

Работа сделанна в 1999 году

Расчет емкостей и размеров переходов - Курсовая Работа, раздел Связь, - 1999 год - Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов Расчет Емкостей И Размеров Переходов. Задача Определить Барьерные Зарядные Ем...

Расчет емкостей и размеров переходов. Задача Определить барьерные зарядные емкости и величины поверхности коллекторного и эмитерного переходов, а так же геометрические размеры полупроводниковой пластины, в которой формируется транзисторная структура. 1. Зарядная емкость коллекторного перехода.

Cзк и величина поверхности коллекторного перехода Sк Коллекторный переход плавный, поэтому Cзк Sк 21 . Известно, что Cзк 2 10-12 пФ и Sк 2.678418 10-4 см2. Исходя из данных значений Cзк и найдено максимальное значение Sкmax. Можно считать, что Sкmax 0.9 c d 22 . Задаемся значением p 150 10-4 см. Добавив к нему 250 мкм находим с с 250 150 10-4 400 10-4см 1. Зарядная емкость эмитерного перехода.

Cзэ и величина поверхности эмитерного перехода Sэ Эмитерный переход резкий, поэтому Cзэ Sэ 23 . Для нахождения Cзэ необходимо найти крп и Аэ крп т 0.5136617В 24 , Sэ Ik 25 . Задаемся величиной Uэб 0.2313273В, соответствующей Sэ 3.769911 10-5см2. Теперь можно рассчитать Cзэ по формуле 26 Cзэ 1,677762 10-11Ф. 3. Размеры эмитера и базы. Размеры металлических выводов определяются величиной Sэ и и глубиной вплавления электрода в кристалл hэ Rэ - hэ 26 . Величина hэ выбирается в пределах hэ 10 30мкм, выбираем hэ 20мкм. Rэ 20мкм. Для центрального расположения выводов Rэ Rб, Rб 20мкм. 5.4

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных… В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский… В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии.

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Расчет емкостей и размеров переходов

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

ОБЩАЯ ЧАСТЬ
ОБЩАЯ ЧАСТЬ. Техническое задание. Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям эксплуатации практикуемого прибора. В данном случае наиболее существенны следующие параметры 1. Ном

Перечень используемых обозначений
Перечень используемых обозначений. Ak - площадь коллектора Аэ - площадь эмитера a - градиент концентрации примесей - отношение подвижностей электронов и дырок Сз.к зарядная барьерная емкость коллек

Выбор технологии изготовления транзистора
Выбор технологии изготовления транзистора. Основным элементом конструкции транзистора является кристалл, или транзисторная структура кристалла, которая представляет собой полупроводниковую пластину

Сплавно-диффузионные транзисторы
Сплавно-диффузионные транзисторы. При диффузионной технологии неоднородность эмиттерной поверхности приводит к неоднородности толщины базовой области, что ухудшает возможные частотные свойст

ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ
ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ. Расчёт сплавно-диффузионного транзистора. Задачи расчёта В результате расчёта должны быть определены электрофизические и геометрические параметры транзисторной структуры, пар

Расчёт толщины базы и концентраций примесей
Расчёт толщины базы и концентраций примесей. Действующая толщина базы определяется соотношением 1 1 где tпр-время пролёта базы tпр , 2 где - коэффициент запаса по частоте f, 1,3 сек. Задавшись вели

Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот
Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот. Задача определение сопротивлений эквивалентной схемы, дифференциальных, диффузионных и омических сопротивлений ЭС транзистора. Рис. 3. Эквивалентн

Расчет обратных токов коллектора
Расчет обратных токов коллектора. Задача определить обратный ток коллекторного перехода Iк.обр. Обратный ток коллекторного перехода состоит из 3х компонент теплового тока тока термогенерации тока о

Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры
Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры. Задача Определение величины Ikmax или Pkmax, а также толщины кристалла - заготовки и других элементов

Расчёт эксплутационных параметров
Расчёт эксплутационных параметров. Максимальная расчётная мощность находится по формуле 49 , 49 мВт 5.7.2 Рассчитаем максимальное напряжение коллектора воспользовавшись соотношением 50 Uк max , 50

Выбор корпуса транзистора
Выбор корпуса транзистора. Конструктивно корпус состоит из двух основных элементов основания и баллона. Основание включает в себя фланец, изолятор и выводы. Баллон представляет собой

Обсуждение результатов
Обсуждение результатов. Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 65, рассчитанное значение 150,7364. Данный биполярный транзистор в схеме с ОЭ обеспечит заданный коэффициент передачи тока. 2. Граничн

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги