Расчет емкостей и размеров переходов. Задача Определить барьерные зарядные емкости и величины поверхности коллекторного и эмитерного переходов, а так же геометрические размеры полупроводниковой пластины, в которой формируется транзисторная структура. 1. Зарядная емкость коллекторного перехода.
Cзк и величина поверхности коллекторного перехода Sк Коллекторный переход плавный, поэтому Cзк Sк 21 . Известно, что Cзк 2 10-12 пФ и Sк 2.678418 10-4 см2. Исходя из данных значений Cзк и найдено максимальное значение Sкmax. Можно считать, что Sкmax 0.9 c d 22 . Задаемся значением p 150 10-4 см. Добавив к нему 250 мкм находим с с 250 150 10-4 400 10-4см 1. Зарядная емкость эмитерного перехода.
Cзэ и величина поверхности эмитерного перехода Sэ Эмитерный переход резкий, поэтому Cзэ Sэ 23 . Для нахождения Cзэ необходимо найти крп и Аэ крп т 0.5136617В 24 , Sэ Ik 25 . Задаемся величиной Uэб 0.2313273В, соответствующей Sэ 3.769911 10-5см2. Теперь можно рассчитать Cзэ по формуле 26 Cзэ 1,677762 10-11Ф. 3. Размеры эмитера и базы. Размеры металлических выводов определяются величиной Sэ и и глубиной вплавления электрода в кристалл hэ Rэ - hэ 26 . Величина hэ выбирается в пределах hэ 10 30мкм, выбираем hэ 20мкм. Rэ 20мкм. Для центрального расположения выводов Rэ Rб, Rб 20мкм. 5.4