Принцип работы динамической памяти. Каждый бит динамической памяти представляется как наличие или отсутствие заряда на конденсаторе, входящем в структуру полупроводникового кристалла. Единственный способ выяснить, заряжен или разряжен конденсатор попытаться разрядить его. Если конденсатор до проверки был заряжен т. е. хранил единичный бит, то после разряда его, разумеется, надо снова подзарядить.
Ячейки памяти динамического типа конфигурируются обычно в матрицу строк и столбцов, причем процесс считывания организуется таким образом, что содержимое целой строки переносится в некий буфер. После считывания соответствующего бита содержимое буфера перезаписывается в ту же строку ячеек динамической памяти, т. е. происходит перезарядка конденсаторов, которые до считывания были в заряженном состоянии.
Время хранения заряда конденсатором ограничено из-за паразитных утечек. Чтобы не потерять имеющиеся данные, необходимо периодически восстанавливать записанную информацию, что и выполняется в циклах регенерации. Современная индустрия постоянно вводит в употребление новые технологии, и основанные на них запоминающие устройства различаются по многим параметрам, начиная с архитектурных особенностей и заканчивая форм-фактором монтажного модуля памяти.