рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Расчет геометрических размеров резисторов

Расчет геометрических размеров резисторов - раздел Связь, Разработка топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней Расчет Геометрических Размеров Резисторов. Резисторы Биполярных Микросхем Обы...

Расчет геометрических размеров резисторов. Резисторы биполярных микросхем обычно изготавливаются на основе отдельных диффузионных слоев транзисторной структуры или из поликремния.

Исходными данными при проектировании резисторов являются номинал R, поверхностное сопротивление слоя, на котором он изготовляется RS, мощность рассеяния P погрешность номинала YR, температурный диапазон работы ДT, bmin, погрешности изготовления удельная мощность рассеяния P0 и т.д 3. В диапазоне номиналов от 100 Ом до 50 кОм резисторы изготовляют на основе базового слоя микросхемы.

Его обычные параметры Расчет начинаем с определения коэффициента формы . 2.13 Если Кф 1, то расчет начинаем с расчета b Если Кф 1, то расчет начинаем с расчета l Если R 501000 Ом, тогда резисторы делаются прямоугольной формы.

Если R 12 кОм, то рекомендуется изготавливать резистор сложной формы с любым числом изгибов и любой длиной прямоугольных участков 2.14 где - минимальная ширина резистора, обеспечивающая необходимую рассеиваемую мощность - минимальная эффективная ширина резистора, обеспечивающая заданную точность изготовления 2.15 , 2.16 , 2.17 где YКф - относительная погрешность изготовления резисторов YR - относительная погрешность номинала резистора YRs - относительная погрешность поверхностного сопротивления - относительная погрешность изменения номинала при изменении температуры.

Затем зная bрасч и Кф определяем lрасч, lрасч Кфbрасч. 2.18 Рассчитав предварительную длину и ширину резистора необходимо проверить соотношения -для резистора прямоугольной формы , 2.19 где k - коэффициент приконтактной области. Определяется по таблицам, графикам и монограммам. -для резистора сложной формы , 2.20. где n - число прямоугольных участков n-1 - число изгибов 0,55 - коэффициент, учитывающий один изгиб.

При этом следует помнить, что bрасч это эффективная, а не топологическая ширина резистора 2.21 где bрасч - топологическая ширина резистора ширина на фотошаблоне - расползание диффузии в боковую область при диффузии 2.22 3

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Разработка топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней

Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топологии ИМС и в итоге появляющегося большего числа ошибок на стадии… Поэтому можно сказать, что разработка топологии ИМС является наиболее важной и… К одному из них можно отнести следующие этапы проектирования получение исходных данных расчет геометрических размеров…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Расчет геометрических размеров резисторов

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС
Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС. Основной структурой, определяющей электрические параметры и характеристики микросхемы, является транзистор. Поэтому, исходя из требований, предъявляе

Основные правила проектирования топологии ИМС
Основные правила проектирования топологии ИМС. Главное требование при разработке топологии - максимальная плотность упаковки элементов при минимальном количестве пересечений межэлементных соединени

Проектирование и расчет геометрических размеров элементов ИМС
Проектирование и расчет геометрических размеров элементов ИМС. В данном разделе приведена методика расчетов геометрических размеров биполярных транзисторов и геометрических размеров резисторов. 2.1

Расчет геометрических размеров биполярного n-p-n транзистора
Расчет геометрических размеров биполярного n-p-n транзистора. Расчет геометрических размеров n-p-n транзистора производится в соответствии с методикой приведенной в пункте 2.1 следовательно, все ра

Расчет геометрических размеров биполярного p-n-p транзистора
Расчет геометрических размеров биполярного p-n-p транзистора. Горизонтальный транзистор отличатся от вертикального тем, что до коллекторной области доходят только те носители, которые инжектируют б

Расчет геометрических размеров диффузионного резистора
Расчет геометрических размеров диффузионного резистора. В схеме генератора Приложение 1 присутствуют 6 резисторов. Наибольшее распространение получили диффузионные резисторы на основе базово

Проектирование топологии ИМС
Проектирование топологии ИМС. Исходными данными являются принципиальная электрическая схема геометрические размеры элементов. На этом этапе решаются такие вопросы, как определение необходимо

Список использованных источников
Список использованных источников. Матсон Э.А Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем Мн. Высш. шк. 1982 2. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектир

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги