Расчет геометрических размеров резисторов. Резисторы биполярных микросхем обычно изготавливаются на основе отдельных диффузионных слоев транзисторной структуры или из поликремния.
Исходными данными при проектировании резисторов являются номинал R, поверхностное сопротивление слоя, на котором он изготовляется RS, мощность рассеяния P погрешность номинала YR, температурный диапазон работы ДT, bmin, погрешности изготовления удельная мощность рассеяния P0 и т.д 3. В диапазоне номиналов от 100 Ом до 50 кОм резисторы изготовляют на основе базового слоя микросхемы.
Его обычные параметры Расчет начинаем с определения коэффициента формы . 2.13 Если Кф 1, то расчет начинаем с расчета b Если Кф 1, то расчет начинаем с расчета l Если R 501000 Ом, тогда резисторы делаются прямоугольной формы.
Если R 12 кОм, то рекомендуется изготавливать резистор сложной формы с любым числом изгибов и любой длиной прямоугольных участков 2.14 где - минимальная ширина резистора, обеспечивающая необходимую рассеиваемую мощность - минимальная эффективная ширина резистора, обеспечивающая заданную точность изготовления 2.15 , 2.16 , 2.17 где YКф - относительная погрешность изготовления резисторов YR - относительная погрешность номинала резистора YRs - относительная погрешность поверхностного сопротивления - относительная погрешность изменения номинала при изменении температуры.
Затем зная bрасч и Кф определяем lрасч, lрасч Кфbрасч. 2.18 Рассчитав предварительную длину и ширину резистора необходимо проверить соотношения -для резистора прямоугольной формы , 2.19 где k - коэффициент приконтактной области. Определяется по таблицам, графикам и монограммам. -для резистора сложной формы , 2.20. где n - число прямоугольных участков n-1 - число изгибов 0,55 - коэффициент, учитывающий один изгиб.
При этом следует помнить, что bрасч это эффективная, а не топологическая ширина резистора 2.21 где bрасч - топологическая ширина резистора ширина на фотошаблоне - расползание диффузии в боковую область при диффузии 2.22 3