Расчет геометрических размеров биполярного p-n-p транзистора. Горизонтальный транзистор отличатся от вертикального тем, что до коллекторной области доходят только те носители, которые инжектируют боковой частью эмиттерного перехода в горизонтальном направлении. Донная инжекция дырок является паразитной.
Однако, при наличии скрытого слоя этот эффект исключается, т.к. скрытый слой играет роль отражателя носителей заряда, тем самым повышая коэффициент усиления.
Также, для увеличения коэффициента усиления область коллектора полностью окружает эмиттерную область.
Графическое изображение p-n-p транзистора приведена на рисунке 3.2. Рисунок 3.2 Физическая структура биполярного p-n-p транзистора со скрытым n-слоем Расчет линейных размеров p-n-p транзистора производится аналогично расчету n-p-n транзистора, рис.3.3. Следовательно, размер эмиттера p-n-p транзистора будет равным размерам n-p-n транзистора, т.е. bэ lэ 14 мкм, а размер контактного окна к эмиттерной области выберем равным минимальному размеру окна в окисле dmin bэк lэк 6 мкм. Ширину базы W рассчитаем по соотношению W 2xjб 2Дфш Дсовм 22,5 1 0,5 6,5 мкм. Примем W 8 мкм lк le 2W 4dmin 2Дфш Дсовм 14 28 46 1 0,5 55,5 мкм. Примем lк 56 мкм. bк be 2W 2dmin 2Дфш Дсовм 14 28 26 1 0,5 43,5 мкм. Примем bк 44 мкм. Длина окна контакта к коллекторной области равна минимальному размеру окна в окисле lкк dmin 6 мкм, ширина bкк bк 2dmin 2Дфш Дсовм 44 12 1 0,5 33,5 мкм. Примем bбк 32 мкм. a hэс xjкб2Дфш Дсовм 8 2,5 1 0,5 12 мкм, с hэсxjэб2Дфш Дсовм 8 1,7 1 0,5 11,2 мкм. Примем с 12 мкм. f xiкбxjэб2Дфш Дсовм 2,5 1,7 1 0,5 5,7 мкм. Примем f 6 мкм. 44 24 1 0,5 69,5 мкм. Рисунок 3.3 - Топологический чертеж маломощного p-n-p транзистора Примем bб 70 мкм. Геометрические размеры подконтактной области базы рассчитываются по формулам 18 1 0,5 19,5 мкм. Примем lбк 18 мкм. 70 24 1 0,5 47,5 мкм. Примем bбк 46 мкм. 56 18 12 12 6 1 0,5 105,5 мкм, Примем lк 106 мкм. 3.3