Реферат Курсовая Конспект
Расчет геометрических размеров диффузионного резистора - раздел Связь, Разработка топологии генератора ИМС управления реле задних противотуманных огней Расчет Геометрических Размеров Диффузионного Резистора. В Схеме Генератора Пр...
|
Расчет геометрических размеров диффузионного резистора. В схеме генератора Приложение 1 присутствуют 6 резисторов.
Наибольшее распространение получили диффузионные резисторы на основе базовой диффузии.
Так как все резисторы выполнены на одном слое, то нет необходимости приводить подробные расчеты каждого резистора.
Для примера, возьмем резистор R4 с номиналом 6 кОм, и проведем расчет его геометрических размеров по методике описанной в пункте 2.2, при Rs 250 Ом. Расчет начинаем с определения коэффициента формы Так как Кф 1, то расчет начинаем с расчета b. Ширина резистора рассчитывается по формуле 2.21, bтоп dmin 6 мкм где bрасч 6 20,82,5 10 мкм Затем, зная bрасч и Кф определяем lрасч, lрасч Кфbрасч 2410 240 мкм. 3.4 Расчет геометрических размеров транзистора с инжекционным питанием Как уже было замечено выше, в схеме генератора имеется 7 элементов инжекционной логики, т.е. транзисторы с инжекционным питанием рисунок 3.4. В отличие от структуры обычного планарного транзистора, структура содержит еще один электрод инжектор p1. Второе отличие заключается в изменении функций электронных областей n1 и n2 n1 область служит эмиттером, а n2 область коллектором.
Таким образом, транзистор с инжекционным питанием представляет собой 4-х слойную структуру p1-n1-p2-n2 типа, в которой можно выделить два транзистора n-p-n и p-n-p типа. Транзистор p-n-p типа образован инжекторной p1-областью, играющей роль эмиттера, частью эмиттерной n1-области, служащей базой, и базовой p2-областью, выполняющей функцию коллектора. Транзистор n-p-n типа образован частью эмиттерной n1-области, частью базовой p2-области и коллекторной n2-областью.
Рисунок 3.4 - Физическая и топологическая структура транзистора с инжекционным питанием Расчет геометрических размеров транзистора с инжекционным питанием проводится по тем же формулам что и остальные транзисторы.
Таким образом, эмиттерная область транзистора будет иметь квадратную форму со стороной bэ lэ 14 мкм, а размер контактного окна к эмиттерной области выберем равным минимальному размеру окна в окисле dmin bэк lэк 6 мкм. Все остальные геометрические размеры транзистора рассчитываются по следующим формулам Длина области базы рассчитывается по формуле lb 3le 6dmin 2Дфш Дсовм lб 42 36 20,5 0,5 79,5 мкм. Примем lб 80 мкм. Ширина области базы рассчитывается по формуле 2.5 bб 14 26 20,5 0,5 27,5 мкм. Примем bб 28 мкм. Длина окна контакта к базовой области равна минимальному размеру окна в окисле lбк dmin 6 мкм, ширина bбк bб 2dmin 2Дфш Дсовм 28 12 1 0,5 15,5 мкм. Примем bбк 14 мкм. a hэс xjкб2Дфш Дсовм 8 2,5 1 0,5 12 мкм, с hэсxjкб2Дфш Дсовм 8 2,5 1 0,5 12 мкм. f 2xiкб2Дфш Дсовм 5 1 0,5 6,5 мкм. Примем f 7 мкм. 28 24 1 0,5 53,5 мкм. Примем bк 54 мкм. Геометрические размеры подконтактной области коллектора рассчитываются по формулам 18 1 0,5 19,5 мкм. Примем lкк 18 мкм. 54 24 1 0,5 31,5 мкм. Примем bкк 30 мкм. 80 18 12 12 6 1 0,5 129,5 мкм, Примем lк 130 мкм. 4
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
Это, как правило, проявляется в усложнении процесса проектирования топологии ИМС и в итоге появляющегося большего числа ошибок на стадии… Поэтому можно сказать, что разработка топологии ИМС является наиболее важной и… К одному из них можно отнести следующие этапы проектирования получение исходных данных расчет геометрических размеров…
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Расчет геометрических размеров диффузионного резистора
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов