рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Выбор материалов

Выбор материалов - Расчетно-графическое Задание, раздел Связь, Проектирование топологии гибридной интегральной микросхемы Выбор Материалов. Для Изготовления Данной Схемы Используются Резистивные Мате...

Выбор материалов. Для изготовления данной схемы используются резистивные материалы, проводящие материалы, материалы для защиты, диэлектрики и матери алы для обкладок конденсаторов. Материалом подложки в данной микросхеме является ситалл.

Ситалл - стеклокерамический материал, получаемый путем термообработки стекла.

По свойствам превосходит стекло, хорошо обрабатывается.

Характеристики Класс шероховатости поверхности 13 14 ТКЛР, 1 C при T 20 300 C 50 2 Ч 10 -7 Теплопроводность, Вт м C 1.5 Температура размягчения, С 620 Диэлектрическая проницаемость при f 10 6 Гц и Т 20 C 5 8.5 Тангенс угла диэлектрических потерь при f 10 6 Гц и Т 20 С 20 Ч 10 -4 Ситалл обладает высокой химической стойкостью к кислотам, не порист, дает незначительную объемную усадку, газонепроницаем, при высоких имеет малую газоотдачу. Выбор материала для создания резисторов зависит от их номиналов. Так как для данной схемы R max R min 50 22kОм 0.150кОм 146.7 необходимо использовать 2 материала.

Для создания резистора R4 150 Ом наиболее целесообразно использовать нихром марки Х20Н80 ГОСТ 8803-58 К ф 3. Тонкие пленки нихрома обладают мелкозернистой структурой, повышенными значениями удельного поверхностного сопротивления, низкими значениями температурного коэффициента поверхностного сопротивления. В качестве исходного материала используется нихром марки Х20Н80, обладающий из всех нихромов самым низким значением температурного коэффициента поверхностного сопротивления.

В зависимости от толщины пленок и условий их нанесения параметры пленочных резисторов можно регулировать в широких пределах. Свойства пленки нихрома Х20Н80 Удельное поверхностное сопротивление r s , Ом р 50 ТКR при температуре -60 ё 125 C -2.25 Ч 10 -4 Допустимая мощность рассеяния P 0 , Вт cм 2 2 Для создания других резисторов наиболее целесообразно использовать кермет К-50С ЕТО.021.013 ТУ . К ф 2.2 для резисторов 22кОм и 1 для резисторов 10кОм Керметные резистивные пленки содержат диэлектрическую и проводящую фазы. Эти пленки наносят методом испарения в вакууме смеси порошков металлов Cr, Ni, Fe и оксидов SiO 2 , Nd 2 O 3 , TiO 2 , причем соотношение между количеством тех и других определяет основные свойства пленок.

Керметные пленки обладают хорошей однородностью свойств, повышенной термостойкостью. Свойства пленки кермета К-50С Удельное поверхностное сопротивление r s , Ом р 10000 ТКR при температуре -60 ё 125 C -5 Ч 10 -4 Допустимая мощность рассеяния P 0 , Вт cм 2 2 Материал контактных площадок и соединений - золото с подслоем хрома.

Материал диэлектрика должен иметь хорошую адгезию к подложке и материалу обкладок, обладать высокой электрической прочностью и малыми потерями, иметь высокую диэлектрическую проницаемость и минимальную гигроскопичность, не разлагаться в процессе формирования пленок. Обкладки конденсаторов должны иметь высокую проводимость, коррозийную стойкость, технологическую совместимость с материалом подложки и диэлектрика, хорошую адгезию к подложке и диэлектрику, высокую механическую прочность.

Так как рабочее напряжение для всех конденсаторов U р 12В, для создания конденсаторов в данной схеме наиболее целесообразно использовать в качестве диэлектрика стекло электровакуумное С41-1 НПО.027.600 . Материал для напыления обкладок - Алюминий А99 ГОСТ 11069-64 . Удельное поверхностное сопротивление пленки обкладок r s , Ом р 0.2 Удельная емкость C 0 , пФ см 2 20 000 Рабочее напряжение U p , В 12.6 Диэлектрическая проницаемость e при 1кГц 5.2 Тангенс угла диэлектрических потерь tg d при 1кГц 0.002-0.003 Электрическая прочность E пр , В см 3 Ч 10 6 Рабочая частота , МГц, не более 300 Температурный коэффициент емкости ТКС при Т -60 ё 125 C, 1 C 1.5-1.8 Ч 10 -4 Материалы проводников и контактных площадок должны иметь малое удельное сопротивление, хорошую адгезию к подложке, высокую коррозийную стойкость. В данной схеме для этих целей наиболее целесообразно использовать алюминий А99 ГОСТ 11069-58 с подслоем нихрома Х20Н80 ГОСТ 2238-58 Толщина подслоя нихром Х20Н80 0.01-0.03 Толщина слоя алюминий А99 0.3-0.5 Удельное поверхностное сопротивление r s , Ом р 0.1-0.2 Преимущество алюминия, как проводникового материала, состоит в том, что он дешевле многих других материалов.

Для создания защитного слоя в данной схеме наиболее целесообразно использовать окись кремния SiO 2 , имеющий следующие параметры Удельная емкость С 0 , пФ мм 2 100 Удельное объемное сопротивление r V , Ом Ч см 1 Ч 10 13 Электрическая прочность E пр , В см 6 Ч 10 5

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Проектирование топологии гибридной интегральной микросхемы

При рассмотрении этапов развития электроники выделяют следующие поколения элементной базы -дискретная электроника электровакуумных приборов.. Широкое применение интегральных микросхем ИМС - основное направление развития.. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых электронной аппаратурой, что привело к росту..

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Выбор материалов

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

RST - триггер
RST - триггер. От функциональных возможностей триггеров и режимов управления их работой зависят характеристики регистров, счетчиков и других узлов. Простейшая схема триггера содержи

Технология изготовления микросхемы
Технология изготовления микросхемы. Метод термовакуумного напыления ТВН основан на создании направленного потока пара вещества и последующей конденсации его на поверхностях подложек, имеющих темпер

Получение конфигурации методом свободной маски
Получение конфигурации методом свободной маски. При изготовлении данной микросхемы целесообразно использовать способ получения конфигурации при помощи свободной маски, так как допуски на номинал не

Активные компоненты схемы
Активные компоненты схемы. В данной схеме 4 активных компонента транзисторы VT1 VT4. Для реализации данной схемы наиболее подходят по параметрам безкорпусные маломощные биполярные транзисторы КТ359

Оценка теплового режима
Оценка теплового режима. Расчет сводится к определению температуры транзисторов и всех резисторов. Нормальный тепловой режим обеспечивается при выполнении условий T э T c max Q к Q э Ј T ma

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги