рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Получение конфигурации методом свободной маски

Получение конфигурации методом свободной маски - Расчетно-графическое Задание, раздел Связь, Проектирование топологии гибридной интегральной микросхемы Получение Конфигурации Методом Свободной Маски. При Изготовлении Данной Микро...

Получение конфигурации методом свободной маски. При изготовлении данной микросхемы целесообразно использовать способ получения конфигурации при помощи свободной маски, так как допуски на номинал не превышают 20 . В зависимости от способа нанесения пленки, свойств материала пленки, требований по точности, плотности размещения элементов и других факторов, выбирают метод свободной съемной или контактной маски.

Метод свободной съемной маски основан на экранировании части подложки от потока частиц напыляемого вещества с помощью специального трафарета - съемной маски, которая с высокой точностью повторяет спроектированную топологию тонкопленочной структуры.

Маску называют съемной, потому что она изготавливается и существует отдельно от подложки.

Съемная маска - это тонкий экран из металлической фольги с отверстиями, очертания и расположение которых соответствуют требуемой конфигурации напыляемой пленки.

При напылении пленочных элементов маску закрепляют в маскодержателе, который обеспечивает плотный прижим и ее фиксированное положение по отношению к подложке. В промышленных условиях наибольшее распространение получили биметаллические маски. Такие маски представляют собой пластину толщиной 80-100мкм из бериллиевой бронзы, покрытую с одной или двух для трехслойных масок сторон тонким слоем никеля 10-20мкм. Бронзовая пластина служит механическим основанием, конфигурация достигается за счет рисунка в слое никеля.

Биметаллические маски рассчитаны на многократное применение. Обычно они выдерживают около ста циклов напыления пленок, после чего подлежат замене. Схема изготовления тонкопленочной интегральной микросхемы с помощью свободных масок представлена на рис. 4 Рис.4 Схема изготовления микросхемы с помощью свободных масок A B 1 2 3 4 5 6 A - свободная маска B - подложка 1,2 - напыление резисторов, проводников и контактных площадок 3-6 - напыление слоев конденсатора и защитной пленки

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Проектирование топологии гибридной интегральной микросхемы

При рассмотрении этапов развития электроники выделяют следующие поколения элементной базы -дискретная электроника электровакуумных приборов.. Широкое применение интегральных микросхем ИМС - основное направление развития.. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых электронной аппаратурой, что привело к росту..

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Получение конфигурации методом свободной маски

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

RST - триггер
RST - триггер. От функциональных возможностей триггеров и режимов управления их работой зависят характеристики регистров, счетчиков и других узлов. Простейшая схема триггера содержи

Технология изготовления микросхемы
Технология изготовления микросхемы. Метод термовакуумного напыления ТВН основан на создании направленного потока пара вещества и последующей конденсации его на поверхностях подложек, имеющих темпер

Выбор материалов
Выбор материалов. Для изготовления данной схемы используются резистивные материалы, проводящие материалы, материалы для защиты, диэлектрики и матери алы для обкладок конденсаторов. Материалом подло

Активные компоненты схемы
Активные компоненты схемы. В данной схеме 4 активных компонента транзисторы VT1 VT4. Для реализации данной схемы наиболее подходят по параметрам безкорпусные маломощные биполярные транзисторы КТ359

Оценка теплового режима
Оценка теплового режима. Расчет сводится к определению температуры транзисторов и всех резисторов. Нормальный тепловой режим обеспечивается при выполнении условий T э T c max Q к Q э Ј T ma

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги