Получение конфигурации методом свободной маски

Получение конфигурации методом свободной маски. При изготовлении данной микросхемы целесообразно использовать способ получения конфигурации при помощи свободной маски, так как допуски на номинал не превышают 20 . В зависимости от способа нанесения пленки, свойств материала пленки, требований по точности, плотности размещения элементов и других факторов, выбирают метод свободной съемной или контактной маски.

Метод свободной съемной маски основан на экранировании части подложки от потока частиц напыляемого вещества с помощью специального трафарета - съемной маски, которая с высокой точностью повторяет спроектированную топологию тонкопленочной структуры.

Маску называют съемной, потому что она изготавливается и существует отдельно от подложки.

Съемная маска - это тонкий экран из металлической фольги с отверстиями, очертания и расположение которых соответствуют требуемой конфигурации напыляемой пленки.

При напылении пленочных элементов маску закрепляют в маскодержателе, который обеспечивает плотный прижим и ее фиксированное положение по отношению к подложке. В промышленных условиях наибольшее распространение получили биметаллические маски. Такие маски представляют собой пластину толщиной 80-100мкм из бериллиевой бронзы, покрытую с одной или двух для трехслойных масок сторон тонким слоем никеля 10-20мкм. Бронзовая пластина служит механическим основанием, конфигурация достигается за счет рисунка в слое никеля.

Биметаллические маски рассчитаны на многократное применение. Обычно они выдерживают около ста циклов напыления пленок, после чего подлежат замене. Схема изготовления тонкопленочной интегральной микросхемы с помощью свободных масок представлена на рис. 4 Рис.4 Схема изготовления микросхемы с помощью свободных масок A B 1 2 3 4 5 6 A - свободная маска B - подложка 1,2 - напыление резисторов, проводников и контактных площадок 3-6 - напыление слоев конденсатора и защитной пленки