рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Оценка теплового режима

Оценка теплового режима - Расчетно-графическое Задание, раздел Связь, Проектирование топологии гибридной интегральной микросхемы Оценка Теплового Режима. Расчет Сводится К Определению Температуры Транзистор...

Оценка теплового режима. Расчет сводится к определению температуры транзисторов и всех резисторов.

Нормальный тепловой режим обеспечивается при выполнении условий T э T c max Q к Q э Ј T max доп , T нк T c max Q к Q э Q вн Ј T max доп, где T max - максимальная температура окружающей среды в процессе эксплуатации Т max доп - максимальная допустимая рабочая температура элементов и компонентов, заданная ТУ. Q к - перегрев корпуса Q э - перегрев элементов Q вн - перегрев областей p-n переходов транзисторов.

Максимальная температура при эксплуатации интегральной микросхемы K2TC241 T Cmax 55 С. Потребляемая мощность - 150мВт. Перегрев корпуса определяется конструкцией корпуса и мощностью рассеяния микросхемы, особенностей монтажа, способа охлаждения и оценивается по формуле Q к P S a Ч S t, где P S - потребляемая мощность микросхемы a 3 Ч 10 2 Вт м 2 - коэффициент теплопередачи при теплоотводе через слой клея. S t 8 Ч 15 мм - площадь контакта корпуса с теплоотводом.

Следовательно Q к 150 Ч 10 -3 3 Ч 10 2 Ч 8 Ч 15 Ч 10 -6 16.7 C Внутренний перегрев областей p-n переходов транзистора КТ359А относительно подложки определяется по формуле Q вн R t вн Ч P э, где P э - рассеиваемая мощность транзистора R Tвн - внутреннее тепловое сопротивление, зависящее от конструктивного исполнения.

Для транзистора КТ359А R Tвн 860 С Вт, P э 15мВт. Таким образом Q вн 860 Ч 15 Ч 10 -3 12.9 C Перегрев элементов за счет рассеиваемой мощности P Э вычисляется по формуле Q э P э Ч R T , где Pэ - рассеиваемая можность элемента R т - внутреннее тепловое сопротивление микросхемы R Т h п l п h к l к Ч 1 B Ч L , где h п 0.6мм - толщина подложки h к 0.1мм - толщина клея. l п 1.5 Вт м с - коэффициент теплопроводности материала подложки l к 0.3 Вт м с - коэффициент теплопроводности клея B,L - размеры контакта тепловыделяющего элемента с подложкой Таблица 5. Результаты расчета перегрева элементов и компонентов интегральной микросхемы К2ТС241 RST-триггер Расчетные значения Элементы и компоненты КТ359А R1 R7 R2 R5 R3 R8,R9 R4 длина L, мм 0.75 0.49 0.49 0.2 0.64 ширина B, мм 0.75 0.2 0.2 0.2 0.2 Расс. мощность,Вт 15 Ч 10 -3 90 Ч 10 -3 10 Ч 10 -3 5 Ч 10 -3 10 Ч 10 -3 R T , C Вт 1.3 7.5 7.5 18.25 5.7 Q э , C 0.0195 0.675 0.075 0.09 0.057 Максимальная допустимая рабочая температура всех материалов резистивной пленки составляет 125 С. Максимальная рабочая температура транзистора КТ359А составляет 85 C. T КТ359А 55 16.7 0.0195 12.9 84.6 C 85 C T R1 R7 55 16.7 0.675 72.3 C 125 C T R2 R5 55 16.7 0.075 71.78 C 125 C T R3 R8,R9 55 16.7 0.09 71.79 C 125 C T R4 55 16.7 0.057 71.8 C 125 C Расчет показал, что для данной схемы обеспечивается допустимый тепловой режим, так как температура самого теплонагруженного элемента транзистор КТ359А не превышает максимально допустимой.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Проектирование топологии гибридной интегральной микросхемы

При рассмотрении этапов развития электроники выделяют следующие поколения элементной базы -дискретная электроника электровакуумных приборов.. Широкое применение интегральных микросхем ИМС - основное направление развития.. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых электронной аппаратурой, что привело к росту..

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Оценка теплового режима

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

RST - триггер
RST - триггер. От функциональных возможностей триггеров и режимов управления их работой зависят характеристики регистров, счетчиков и других узлов. Простейшая схема триггера содержи

Технология изготовления микросхемы
Технология изготовления микросхемы. Метод термовакуумного напыления ТВН основан на создании направленного потока пара вещества и последующей конденсации его на поверхностях подложек, имеющих темпер

Выбор материалов
Выбор материалов. Для изготовления данной схемы используются резистивные материалы, проводящие материалы, материалы для защиты, диэлектрики и матери алы для обкладок конденсаторов. Материалом подло

Получение конфигурации методом свободной маски
Получение конфигурации методом свободной маски. При изготовлении данной микросхемы целесообразно использовать способ получения конфигурации при помощи свободной маски, так как допуски на номинал не

Активные компоненты схемы
Активные компоненты схемы. В данной схеме 4 активных компонента транзисторы VT1 VT4. Для реализации данной схемы наиболее подходят по параметрам безкорпусные маломощные биполярные транзисторы КТ359

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги