рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Специфика эффектов в зависимости от конструктивно-технологических особенностей ИМС

Работа сделанна в 2006 году

Специфика эффектов в зависимости от конструктивно-технологических особенностей ИМС - раздел Связь, - 2006 год - Воздействие радиационного излучения на операционные усилители Специфика Эффектов В Зависимости От Конструктивно-Технологических Особенносте...

Специфика эффектов в зависимости от конструктивно-технологических особенностей ИМС. Специфика проявления радиаци¬онных эффектов во многом определяется конструктивно-технологическими особенностями ИМС и в некоторых случаях различается для схем низкой и высо¬кой степени интеграции.

В частности, для интегральных структур малой и средней степени интеграции, к числу которых относятся аналоговые ИМС, можно пренебречь неравновесностью энерго¬выделения, более слабо проявляются дозовые эффекты в бипо¬лярных структурах и т.п. Уменьшение размеров структур в условиях радиационного воздействия также приводит к принципиальным изменениям физики работы приборов.

Эти изменения связаны с тем, что: 1) характерные пространственные масштабы изменения электрического поля сопоставимы с длинами релаксации энергии и импульса электронов и длиной свободного пробега электронов; 2) характерные размеры рабочих областей приборов сравнимы с расстоянием между кластерами радиационных дефектов (КРД); 3) характерные размеры рабочих областей приборов сопоставимы с размерами КРД; 4) ионизирующее излучение разогревает электронный газ, который не успевает остывать за времена пролета рабочей области приборов; 5) при облучении нейтронами происходит перестройка протонированных изолирующих областей ИС, что сказывается на процессах протекания тока и фоточувствительности; 6) взаимодействие ионизирующих излучений (особенно лазерных) с нанометровыми металлическими объектами имеет особенности; 7) радиационные технологические процессы (например, геттерирование) существенно изменяют электрофизические характеристики полупроводника, что заметным образом сказывается на процессах формирования радиационных дефектов в субмикронных приборах; 8) электроны, разогнанные до энергий 0,5 1 эВ большими электрическими полями (~ 100 кВ/см) в субмикронных приборах, могут проникать сквозь КРД, что принципиально меняет подход к моделированию радиационной стойкости приборов.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Воздействие радиационного излучения на операционные усилители

Классификация радиационных эффектов. Воздействие ионизирующих излучений (ИИ) на какое-либо вещество сопровождается… Принято выделять два вида основных эффектов: смещения (обусловленные смещением атомов из своего нормального положения)…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Специфика эффектов в зависимости от конструктивно-технологических особенностей ИМС

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Классификация радиационных эффектов
Классификация радиационных эффектов. Воздействие ионизирующих излучений (ИИ) на какое-либо вещество сопровождается выделением энергии частицей ИИ. Дальнейшая релаксация полученной энергии и

Действие облучения на биполярные транзисторы
Действие облучения на биполярные транзисторы. Физические параметры биполярного транзистора можно разбить на четыре группы: 1)Параметры, характеризующие диффузию и дрейф неосновных носителей, 2)Пара

Действие облучения на униполярные транзисторы
Действие облучения на униполярные транзисторы. Влияние ионизирующего излу¬чения на параметры униполярных транзисторов как с управляющим p-n-переходом, так и МДП - структур в основном проявля

Усилительные каскады
Усилительные каскады. В качестве простейших усилитель¬ных каскадов применяют каскады с общим эмиттером (ОЭ) и общим истоком (ОИ). Отклонение тока коллектора ΔIк от своей номинальной

Дифференциальные каскады
Дифференциальные каскады. Принято считать, что стойкость аналоговых интегральных микросхем к спецвоздействиям оп¬ределяется, прежде всего, радиационными эф¬фектами во входных каскадах, в качестве к

Влияние ИИ на шумовые характеристики
Влияние ИИ на шумовые характеристики. дифф-каскада. В каскадах на биполярных транзисторах в области средних и высших частот шумо¬вого спектра, где преобладают дробовой шум токораспределения iш.к и

Воздействие ИИ на параметры ИОУ
Воздействие ИИ на параметры ИОУ. Интегральные операционные усилители (ИОУ) представляют собой высококачественные прецизионные усилители, которые относятся к классу универсальных и многофункциональн

Критериальные параметры
Критериальные параметры. для оценки стойкости ОУ. Как правило, нормативная документация (НД) на ИОУ устанавливает отклонение выходного на¬пряжения от нуля ΔUвх от, приведенного ко входу, в

Проектирование радиационно-стойких ИОУ
Проектирование радиационно-стойких ИОУ. На этапе проектирования проблему повыше¬ния радиационной стойкости аппаратуры наибо¬лее эффективно можно решить соответствую¬щим выбором способа коррекции пе

Уменьшение ВПР электронной аппаратуры
Уменьшение ВПР электронной аппаратуры. Эта проблема возникает при проектировании электронной аппаратуры, предназначенной для работы в условиях кратковременного воздейст¬вия мощного ионизирую

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги