Расчет схемы питания. Выбор параметров линии передачи Линия передачи является микрополосковой, т. к. диэлектрическая проницаемость материала подложки. Выберем высоту подложки h=3 мм и толщину полоска t=20 мкм, волновое сопротивление линии =25 Ом, при этом ширина полоска составит w=9,2 мм. Эти параметры обеспечивают реализуемость конструкции делителей мощности и ФВ. 3.2 Распределение мощности по излучателям Амплитудное распределение поля в раскрыве антенны определяется следующим образом: f(x, y)=f(x)f(y), где - амплитудное распределение поля в плоскости XOZ, - амплитудное распределение поля в плоскости YOZ. Излучатели в столбцах можно представить в виде параллельного включения их входных проводимостей, тогда распределение поля вдоль строк можно реализовать как распределение тока на излучателях в соответствии с их входной проводимостью.
Проводимость излучателей определяется следующим образом, где j- номер элемента в столбце. , . Таблица 1 Излучатели 1 2 3 4 5 6 7 8 Gвх, мСм 0,22 1,77 6,5 12 12 6,5 1,77 0,22 a, мм 2,1 17 61 109 109 61 17 2,1 Конструкцию излучателей в столбце ФАР можно найти в приложении 4. Далее проведем найдем распределения мощности по излучателям, которое потребуется для расчета делителей мощности.
Обозначим мощность, которая должна поступать в излучатель как, где i=1 16, j=1 8. Будем предполагать, что потерь в схеме питания не существует и вся подводимая мощность Po распределяется между излучателями.
Тогда определяется как, где координаты i, j- излучателя Так как амплитудное распределение симметрично в обеих плоскостях, то и распределение мощности по излучателям является симметричным, т. е. достаточно найти мощности для излучателе, находящихся с 1 по 8 столбец и с 1 по 4 строку.
В табл. 1 приводятся результаты расчета (Po=600 Вт) Таблица 2 ,Вт 1 2 3 4 5 6 7 8 1 0,006 0,016 0,047 0,111 0,211 0,332 0,443 0,509 2 0,048 0,127 0,369 0,877 1,669 2,627 3,505 4,033 3 0,177 0,464 1,35 3,204 6,101 9,599 12,81 14,74 4 0,317 0,829 2,414 5,73 10,909 17,164 22,905 26,357 3.3