"Полупроводниковые материалы" Харьков 2007 Содержание Введение 1. Температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников 1.1 Температурные зависимости концентрации в собственном полупроводнике 1.2 Температурные зависимости концентрации в донорном полупроводнике 1.3 Температурная зависимость подвижности носителей заряда 2. Полупроводниковые материалы Si и Ge 2.1 Основные сведения о кристаллическом строении 2.2 Получение и выращивание монокристаллов 2.3 Метод Чохральского и метод зонной плавки 2.4 Основные физико-химические и электрофизические свойства 2.5 Осаждение эпитаксиальных слоев кремния 2.6 Применение в полупроводниковых приборах и ИС 3. Методы контроля параметров полупроводниковых материалов: проводимости, концентрации, подвижности, ширины запрещенной зоны 3.1 Проводимость полупроводников 1.1 Преимущества и недостатки методов исследования проводимости полупроводников 3.2 Определение подвижности 2.1 Факторы, определяющие подвижность 3.3 Концентрация собственных носителей Вывод Список использованной литературы Введение Современный научно-технический прогресс неразрывно связан с разработкой и освоением новых материалов, в частности полупроводниковых.
Именно материалы стали ключевым звеном, определяющим успех многих инженерных решений при создании сложнейшей электронной аппаратуры.
Практика постоянно предъявляет все более жестокие и разнообразные требования к свойствам и сочетанию свойств у материалов, поэтому растет их количество и номенклатура.
В настоящее время число наименований материалов, применяемых в электронной технике для различных целей, составляет несколько тысяч, значительную часть которых составляют полупроводниковые материалы.
К полупроводникам относится большое количество веществ с электронной электропроводностью, удельное сопротивление которых при нормальной температуре находится между значениями удельного сопротивления проводников и диэлектриков. Основной особенностью полупроводников является их способность изменять свои свойства под влиянием различных внешних воздействий (изменение температуры и освещения, приложение электрического и магнитного полей, внешнего давления и т.д.). Свойства полупроводников очень сильно зависят от содержания примесей, при введении которых изменяется не только значение проводимости, но и характер ее температурной зависимости.
Особенно бурное развитие переживает полупроводниковая электроника в последние четыре десятилетия. Массовое применение полупроводников вызвало коренное преобразование в радиотехнике, кибернетике, автоматике, телемеханике. Совершенствование полупроводниковой технологии позволило решить задачу микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры. 1 Температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников 1.1
В зависимости от степени чистоты полупроводники подразделяют на собств... В случае Ge и Si примесями первого вида служат элементы V группы (с бо... Примесный полупроводник – это полупроводник, электрофизические свойств... Температурные зависимости концентрации в собственном полупроводнике.