Цель дипломного проекта. По мере возрастания степени интеграции увеличивается удельный вес отказов, связанных с дефектами металлизации, диффузии и других операций.
Распределение отказов ИМС можно изобразить диаграммой (рис. 1) Рис. 1 Диаграмма распределения отказов Отказы, связанные с процессами в металлических слоях, являются основными для ИМС при повышенных нагрузках (25 – 26%). Причина отказов может состоять в разрыве проводников на ступеньках окисла, в коррозии металла, во взаимодействии окисла с металлом при локальных увеличениях температуры, в замыкании Al на Si, через поры окисла при низкотемпературной рекристаллизации, в разрывах проводников и нарушении контакта с Si вследствие электродиффузии-процесса переноса вещества при высоких плотностях тока. Отказы из-за электродиффузии становятся существенными при плотностях тока свыше 5*104 А/см2 и температуре выше 150 0С. При нагреве через границу раздела Al + Si в контактных окнах происходит взаимная диффузия Al и Si, причем Si диффундирует в Al быстрее и достигает концентрации ≈ 1, 5 am%. Цель моего дипломного проекта – избежать подобного явления, применением других распыляемых материалов, позволяющих снизить растворимость Si в Al. 1.2