рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Краткое описание технологического процесса изготовления изделия КР

Краткое описание технологического процесса изготовления изделия КР - Дипломный Проект, раздел Связь, Проектирование КР1095 ПП1 Краткое Описание Технологического Процесса Изготовления Изделия Кр. Пп1 Основ...

Краткое описание технологического процесса изготовления изделия КР. ПП1 Основным недостатком ИС с алюминиевым затвором является наличие больших межэлектродных емкостей Сзи и Сзс, снижающих общее быстродействие ИС. Эти емкости образуются в результате перекрытия затвором областей истока и стока.

При этом указанное перекрытие характеризуется большим разбросом из-за неровности краев металлизации затвора и границ диффузионных слоев истока и стока.

Существенного уменьшения емкости перекрытия Сзи и Сзс можно добиться при использовании технологии с самосовмещенным затвором.

Основная идея такой технологии заключается в изменении порядка формирования электродов МДП – транзистора: вначале образуется затвор, после чего формируются области стока и истока. При этом затвор используется в качестве маски, что приводит к совпадению границ диффузионных областей с краями затвора.

В результате перекрытие затвора и порождаемые им емкости существенно уменьшаются.

Наиболее совершенной технологией с самосовмещенным затвором в настоящее время является технология КМДП ИС с кремниевым затвором.

Технологический процесс изготовления КМДП ИС с кремниевым затвором его и его основные этапы представлены на рис. 3. В этом процессе формирование больших областей («карманов») p типа такое же, как и в технологическом процессе КМДП ИС с алюминиевым затвором, т.е. для этого в подложку через фоторезистивную маску, создаваемую фотолитографическим способом, внедряется методом ионной имплантации легирующая примесь, в данном случае бор (рис. а). После получения «кармана» p типа на пластину наносится тонкий слой SiO2, который выполняет роль подзатворного диэлектрика МДП – транзисторов двух типов проводимости (рис. б). Следующий этап – на слой SiO2 методом химического распыления наносится слой поликристаллического кремния.

После этого осуществляется фотолитографическое травление, в процессе которого в местах, где должны формироваться области стоков и истоков, стравливается слой поликристаллического кремния, а также слой, лежащий над ним – SiO2. в результате такого травления получается структура, изображенная на рис. в. Для уменьшения удельного сопротивления поликремниевых участков затвора осуществляется их легирование примесью бора или фосфора в зависимости от типа проводимости в канале.

Такое легирование проводится одновременно с формированием областей стоков и истоков транзисторов.

На рис. 3 показано поочередное нанесение слоев SiO2 из кремнийорганических соединений (n- и p – SiO2) с последующим формированием областей стоков и истоков МДП – транзисторов обоих типов проводимости. Как видно из этого рисунка, в процессе формирования этих областей в качестве маски используются участки поликремния, выполняющие роль затворов МДП – транзисторов.

В результате обеспечивается самосовмещение границ затвора и областей стока и истока. Отметим, что использование алюминия в качестве затвора и маски для обеспечения самосовмещения оказывается невозможным, т. к. его температура плавления ниже температуры легирования кремния примесями на стадии разгонки. Кроме уменьшения емкости перекрытия рассмотренная технология обеспечивает еще один положительный эффект. Поскольку здесь затвор и подложка оказываются выполненными из одного материала, контактная разность потенциалов между указанными элементами становится равной нулю, что приводит к уменьшению порогового напряжения до 1 2В вместо обычных 2,5…3В. На заключительном этапе (аналогично КМДП ИС с алюминиевым затвором) через предварительно протравленные химическим путем (методом фотолитографии) окна, на пластины с помощью напыления наносится слой металлизации, после фотолитографической обработки которого формируются контактные площадки и межсоединения, функционально связывающие КМДП – структуры в ту или иную конкретную ИС. Пластины со сформированными на них таким образом КМДП ИС подвергаются общей защите от внешних загрязнений и механических повреждений пиролитическим окислом.

После этой операции для обеспечения доступа к алюминиевым контактным площадкам в соответствующих местах вскрываются окна. Рис. 3 Схема изготовления КМДП ИС с кремниевым затвором Структурная схема технологического процесса изготовления ИС КР1095ПП1 показан на рис. 4. 1.4

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Проектирование КР1095 ПП1

Основными методами получения тонкопленочных слоев являются термическое испарение в вакууме и распыление ионной бомбардировкой. Особенно широкое применение эти методы нашли в новой и весьма перспективной… Микроэлектроника – это новое научно-техническое направление электроники, которая с помощью комплекса физических,…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Краткое описание технологического процесса изготовления изделия КР

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Цель дипломного проекта
Цель дипломного проекта. По мере возрастания степени интеграции увеличивается удельный вес отказов, связанных с дефектами металлизации, диффузии и других операций. Распределение отказов ИМС

Краткие технические сведения об изделии КР
Краткие технические сведения об изделии КР. ПП1 Изделие КР1095ПП1 представляет собой большую интегральную схему (БИС) и обеспечивает преобразование мощности потребления электрической энергии переме

Механизмы отказов металлизации в результате электромиграции
Механизмы отказов металлизации в результате электромиграции. Важную роль в производстве интегральных схем играет соединительная металлизация. Занимаемая ею площадь сравнима, а иногда превышает площ

Физический процесс механизма распыления алюминия
Физический процесс механизма распыления алюминия. Магнетронные системы ионного распыления являются усовершенствованными диодными системами и отличаются от них наличием в прикатодной области электри

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги