Оценка теплового режима ИМС. Расчет надежности полупроводниковых ИМС по внезапным отказам

ОЦЕНКА ТЕПЛОВОГО РЕЖИМА ИМС. РАСЧЕТ НАДЕЖНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИМС ПО ВНЕЗАПНЫМ ОТКАЗАМ» МИНСК, 2009 ОЦЕНКА ТЕПЛОВОГО РЕЖИМА ИМС Конструкция ИМС должна быть такой, чтобы теплота, выделяющаяся при ее функционировании, не приводила в наиболее неблагоприятных условиях эксплуатации к отказам элементов в результате перегрева.К тепловыделяющим элементам следует отнести, прежде всего, резисторы, активные элементы и компоненты. Мощности, рассеиваемые конденсаторами и индуктивностями, невелики.

Пленочная коммутация ИМС благодаря малому электрическому сопротивлению и высокой теплопроводности металлических пленок способствует отводу теплоты от наиболее нагретых элементов и выравниванию температуры платы ГИС или кристаллов полупроводниковых ИМС. Введем следующие понятия, необходимые для осуществления тепловых расчетов. Перегрев элемента или компонента ИМС (Θ, °С), — разность между их температурой и средней температурой поверхности корпуса.Максимально допустимая температура Tmax доп — максимальная температура элемента или компонента ИМС, при которой обеспечиваются требования к их надежности.

Удельная мощность рассеяния (Р0, Вт/°С) — плотность теплового потока от элемента ИМС, кристалла или платы ИМС. Внутреннее тепловое сопротивление элемента, кристалла или компонента ИМС (RT ВН, °С/ВТ) — тепловое сопротивление самого элемента (кристалла, компонента) и тепловое сопротивление контакта между элементом (компонентом) и платой (кристаллом и корпусом) с учетом теплового сопротивления клеевой прослойки.