рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Полупроводниковые резисторы

Полупроводниковые резисторы - раздел Связь, Первые Две Группы Полупроводниковых Резисторов В Соответствии С Этой Классиф...

Первые две группы полупроводниковых резисторов в соответствии с этой классификацией – линейные резисторы и варисторы – имеют электрические характеристики, слабо зависящие от внешних факторов: температуры окружающей среды, вибрации, влажности, освещенности и др. Для остальных групп полупроводниковых резисторов, наоборот, характерна сильная зависимость их электрических характеристик от внешних факторов.Так, характеристики терморезисторов существенно зависят от температуры, характеристики тензорезисторов – от механических напряжений.

Рассмотрим подробнее разновидности полупроводниковых резисторов. 1 Варисторы Варистор – это полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от приложенного напряжения и, обладающий нелинейной симметричной вольт – амперной характеристикой (ВАХ). Варисторы изготавливают методом керамической технологии, т.е. путем высокотемпературного обжига заготовки из порошкообразного карбида кремния SiC со связующим веществом, в качестве которого используют глину. Внешне варисторы оформляются в виде стержней или дисков.

Нелинейность вольт – амперной характеристики варисторов обусловлена явлениями на точечных контактах между кристаллами карбида кремния: увеличение в сильных электрических полях проводимости поверхностных потенциальных барьеров (при малых напряжениях) и увеличение проводимости точечных контактов между кристаллами из-за разогрева в связи с выделяющейся на контактах мощностью (при больших напряжениях на варисторе). Поскольку толщина поверхностных потенциальных барьеров на кристаллах карбида кремния мала, там могут возникать сильные электрические поля даже при малых напряжениях на варисторе, что приводит к туннелированию носителей заряда сквозь потенциальные барьеры.

Таким образом, при малых напряжениях на варисторе нелинейность ВАХ связана с зависимостью проводимости поверхностных потенциальных барьеров от величины напряжения.При больших напряжениях на варисторе и соответственно, при больших токах, проходящих через варистор, плотность тока в точечных контактах оказывается очень большой.

Все напряжение, приложенное к варистору, падает на точечных контактах. Поэтому уд. мощность (мощность в единице объема), выделяющаяся в точечных контактах приводит к уменьшению общего сопротивления варистора и нелинейности ВАХ. Основные параметры варисторов:.

– Конец работы –

Используемые теги: Полупроводниковые, резисторы0.052

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Полупроводниковые резисторы

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным для Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Еще рефераты, курсовые, дипломные работы на эту тему:

Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета

Прецизионные, высокочастотные, СВЧ, высокомегаомные и высоковольтные резисторы и резисторы интегральных схем
Рисунок 1. Прецизионные резисторы: а – С2-31, б – С5-5-1, в – С5-41, г – С5-53. Прецизионные резисторы применяют в точной измерительной аппаратуре и… В обоих случаях для обеспечения их высокой точности выполняют технологическую… Очевидно что эти меры не являются наиболее рациональными, поэтому в настоящее время используется лишь ограниченное…

Полупроводниковые нелинейные элементы: полупроводниковые диоды
При UAK = 0 существует баланс диффузионной и дрейфовой составляющих токов через переход.

Толстопленочные интегральные микросхемы: общие сведения, резисторы, полупроводники, топология
Проводниковые и резистивные пасты состоят из порошков металлов и их окислов, а также содержат порошки низкоплавких стекол (стеклянную фритту). В… Относительная простота технологии при сравнительно низких затратах на… Широкое применение находит толстопленочная многоуровневая разводка межсоединений в гибридных микросхемах. 2. ПОДЛОЖКИ…

Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды
Электронно дырочный переход Полупроводниковые диоды Электронно дырочный переход и его... Полупроводниковые диоды и их характеристики... Диодом называют полупроводниковый прибор который состоит из одного перехода и имеет два вывода анод и катод...

Экранирование электрического поля в полупроводниках. Дебаевская длина экранирования. Эффект поля
Система с зарядами экранирует внешнее поле если носители заряда связаны с атомами то уравнение Пуассона описывает экранирование электрического... уравнение Пуассона описывает экранирование эл поля в среде...

Электротехнические материалы. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА НЕЛИНЕЙНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВ, ПРОВОДНИКОВ И МАГНИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ
САНКТ ПЕТЕРБУРГСКИЙ...

Устройства содержат сотни реле, электронных ламп, полупроводников и электронных элементов
Эти устройства широко используются в технике автоматического управления в... Устройства содержат сотни реле электронных ламп полупроводников и электронных элементов...

Исследование полупроводникового стабилизатора напряжения
Исследование полупроводникового стабилизатора напряжения... Цель работы Схема...

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
S x times d... где х ширина d толщина пластины... Зная что сила тока в проводнике с одним типом носителей заряда...

0.035
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • По категориям
  • По работам