Технология производства К56ИЕ10 и серии м/с К426 и К224

Министерство науки, высшей школы и технической политики Российской Федерации Московский государственный технический университет им Н.Э. Баумана Калужский филиал Кафедра П6-КФ О Т Ч Е Т по технологической практике по темам 1. Кристальное производство МС 564ИЕ1.1 Операция спецокисление 1.2 Операция удаление фоторезиста в смеси Каро 2. Сборочное производство МС К425НК2.1 Операция нанесение слоя компаунда окунанием Студент гр. ФТМ-81 Тимофеев А. Ю. Руководитель практики от КФ МГТУ Зайончковский В. С. Руководители практики от АО Восход Шашкина Л. И. Ладышева И. Н. г. Калуга 1997 г. С О Д Е Р Ж А Н И Е КРИСТАЛЬНОЕ ПРОИЗВОДСТВО 3 ОТЧЕТ ПО ПРОВЕДЕННЫМ ЭКСКУРСИЯМ 3 ВВОДНАЯ ЧАСТЬ 3 МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА 564ИЕ4 ОПЕРАЦИЯ СПЕЦОКИСЛЕНИЕ 5 Оборудование. 5 Подготовка рабочего места и организация трудового процесса. 6 Технологический процесс. 7 ОПЕРАЦИЯ УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА В СМЕСИ КАРО 9 Оборудование. 9 Требования безопасности. 9 Подготовка рабочего места и организация трудового процесса. 10 Технологический процесс. 11 КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА 12 Оборудование. 12 Алгоритм программы разбраковки. 12 СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО 15 ВВОДНАЯ ЧАСТЬ 15 МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ К425НК16 ОПЕРАЦИЯ НАНЕСЕНИЕ СЛОЯ КОМПАУНДА ОКУНАНИЕМ 18 Подготовка рабочего места. 18 Организация трудового процесса. 18 Технологический процесс. 18 Требования безопасности. 19 Дополнительные указания. 19 ЛИТЕРАТУРА 21КРИСТАЛЬНОЕ ПРОИЗВОДСТВО ОТЧЕТ ПО ПРОВЕДЕННЫМ ЭКСКУРСИЯМ В ходе практики была проведена экскурсия в цехе кристального производства, в ходе которой ознакомились со следующими участками Участок чистой химии Участок нанесения фоторезиста Участок фотокопии Участок технохимии Участок плазмохимического травления Участок диффузии Участок ионного легирования Участок нанесения диэлектрических пленок Участок напыления Участок контроля электрофизических параметров Участок испытаний.

ВВОДНАЯ ЧАСТЬ Микросхема 564ИЕ10 Микросхема содержит два отдельных четырехразрядных двоичных счетчика. Триггеры каждого из них устанавливаются в исходное состояние нулевое при подаче уровня 1 на вход R. Триггеры счетчиков 564ИЕ10 переключаются в момент спада импульсов положительной полярности на входе СР при уровне 0 на входе CN. Возможна подача импульсов отрицательной полярности на вход CN при уровне 1 на входе СР. Таким образом, входы CP и CN объединены логической функцией И. При соединении микросхем 564ИЕ10 в многоразрядный счетчик с последовательным переносом выводы 8 подключаются к входам СР следующих, а на входы CN подают уровень 0. На счетчике 564ИЕ10 можно собрать делитель частоты с коэффициентом деления от 2 до 15. Рис. 1. Графическое изображение МС 564ЕИ10 Рис. 2. Временная диаграмма работы счетчика 564ИЕ10

МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА

Фоторезист ФП383. Буферный травитель. 6. Вторая фотолитография. Формирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и р-охраны.

ОПЕРАЦИЯ СПЕЦОКИСЛЕНИЕ

система диффузионная см табл. Наименование временного интервалаШифр командРасход газов лчас О2 30 N2... 1.4 Параметры микроклимата должны соответствовать СТП 17-001-90 1000,1... 1.2 Технологическую операцию осуществлять с соблюдением требований ТВО... 1.11 Проводить оценку контрольного процесса по напряжению отсечки согл...

ОПЕРАЦИЯ УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА В СМЕСИ КАРО

1.7 Во избежание термоопасности не касаться руками горячих частей обор... 2.3 Надеть перед началом работы вне рабочей зоны полиэтиленовые нарука... 2.8.5 Перемешать приготовленную смесь Каро с помощью стеклянной палочк... 2.12 При измерении объемов жидких материалов допустимое отклонение обе... 3.15 Проводить отмывку пластин в деионизованной воде в первой и во вто...

КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА

Нормы параметров 564 ИЕ10 наименованиенормы цехапогрешностьрежим измер... Табл. 4. 4. КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА.

СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО

4. Вжигание резистивной пасты при температуре 700 750ОС. 15. Сушка конвективная. Проводится с целью полимеризации компаунда в печи ... Термотренировка. Здесь предусматривается стабилизация параметров при т...

ОПЕРАЦИЯ НАНЕСЕНИЕ СЛОЯ КОМПАУНДА ОКУНАНИЕМ

1.5 Проверить загрузку элементов в кассету, при наличии дефектов возвр... 2.4 На рабочем месте должна находиться выписка из технологической карт... 3.3 Подровнять элементы в кассете, опустив их на поверхность стола так... 3.4 Окунуть элементы в ванну с компаундом. 4.5 Хранить микросхемы после обволакивания в накопителях с местным выт...

Дополнительные указания

Дополнительные указания. Микросхемы упавшие в ванну с компаундом во время окунания партии, взят... 5.5 Срок жизни компаунда не более 5 суток. 5.9 Допускается вместо фурацилиновой защитной пасты использовать крем ... 2.