рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА

Работа сделанна в 1997 году

МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА - Отчет по Практике, раздел Высокие технологии, - 1997 год - Технология производства К56ИЕ10 и серии м/с К426 и К224 Маршрут Изготовления Кристалла. Ие1. Формирование Партии Пластин. 2. Гидромех...

МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА. ИЕ1. Формирование партии пластин. 2. Гидромеханическая отмывка пластин. 3. Химическая обработка. Смесь Каро H2SO4H2O2, перикисьно-амиачная смесь.

Оборудование линия Лада 4. Окисление 1. Установки СДОМ, АДС. Температура 1000ОС. О2пар. 5. Фотолитография. Формирование области р-кармана. 1. Нанесение фоторезиста. Фоторезист ФП383. Установка ХБС. 2. Совмещение экспонирования пластин ЭМ 576А. 3. Проявление фоторезиста. Проявитель едкий калий. 4. Дубление фоторезиста. Установки Лада. 5. Травление окисной пленки. Буферный травитель. 6. Контроль. 6. Ионное легирование. Бор 1. Карман. Установка Лада 7. Снятие фоторезиста. 1. Плазма. Установка 08 ПХО 100Т-2. Смесь Каро. 8. Химическая обработка. 9. Разгонка бора. Карман.

Температура 1200ОС. О2азот. 10. Вторая фотолитография. Формирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и р-охраны. 11. Ионное легирование. Бор 2 . Сток- исток.

Установка Везувий-3М. 12. Снятие фоторезиста. Плазма и смесь Каро. 13. Химическая обработка. 14. Разгонка бора. Сток- исток.

Температура 1000ОС, О2пар. 15. Третья фотолитография. Формирование областей сток- истока n-канальных транзисторов и n-охраны. 16. Химическая обработка. 17. Загонка фосфора диффузионный метод. Температура 900ОС. Диффузант POCl18. Снятие фосфорселикатного стекла. HF H2O 19. Разгонка фосфора. Температура 1000ОС. О2пар. 4Я фотолитография. Вскрытие областей под затвор и контактные окна. 21. Окисление 2 подзатворный диэлектрик.

Температура 1000ОС. О2HCl. 22. Стабилизация фосфора. Температура 900ОС. Диффузант POCl23. Подлегирование. 24. Отжиг подзатворного диэлектрика. 5Я фотолитография. Вскрытие контактных окон. 26. Химическая обработка. 27. Напыление AlSi. Установка Магна 2М. 6Я фотолитография. Формирование алюминиевой разводки. 29. Вжигание алюминия. Температура 475ОС в азоте. 30. Нанесение защитного окисла. Температура 400ОС. SiH4O2. Установка Аксин. 7Я фотолитография. Вскрытие контактных площадок. 8Я фотолитография. Защита пластин фоторезистом. 33. Контроль ВАХ пробивное напряжение, пороговое напряжение, прямое напряжение и др 34. Контроль электрических параметров. 35. Контроль внешнего вида.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Технология производства К56ИЕ10 и серии м/с К426 и К224

ВВОДНАЯ ЧАСТЬ Микросхема 564ИЕ10 Микросхема содержит два отдельных четырехразрядных двоичных счетчика. Триггеры каждого из них устанавливаются в… Оборудование линия Лада 4. Окисление 1. Установки СДОМ, АДС. Температура… Температура 1200ОС. О2азот. 10. Вторая фотолитография. Формирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Операция спецокисление
Операция спецокисление. Оборудование. система диффузионная см табл. 1 стол монтажный СМ-4 А2МО 238 001 ТУ реактор кварцевый 07-0397 реактор кварцевый 07-0541 крючок кварцевый 09-1067 лодочка кварце

ОПЕРАЦИЯ СПЕЦОКИСЛЕНИЕ
ОПЕРАЦИЯ СПЕЦОКИСЛЕНИЕ. Оборудование. система диффузионная см табл. 1 стол монтажный СМ-4 А2МО 238 001 ТУ реактор кварцевый 07-0397 реактор кварцевый 07-0541 крючок кварцевый 09-1067 лодочка кварце

ОПЕРАЦИЯ УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА В СМЕСИ КАРО
ОПЕРАЦИЯ УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА В СМЕСИ КАРО. Оборудование. установка химической обработки ЩЦМЗ 240 212 нагреватель ультрачистых сред ЩЦМЗ 031 173 кассета 07-0518 тара межоперационная ЩИТ - 725 пинце

КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА
КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА. Оборудование система измерительная Н2001 Интеграл зонд измерительный ОМ6010 Алгоритм программы разбраковки Алгоритм программы разбраковки кристаллов 564

СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО
СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО. ВВОДНАЯ ЧАСТЬ Микросхема К425НК1 Микросхема интегральная К425НК1 предназначена для работы в блоке управления экономайзера автомобиля, изготавливаемого для народного хозяйств

ОПЕРАЦИЯ НАНЕСЕНИЕ СЛОЯ КОМПАУНДА ОКУНАНИЕМ
ОПЕРАЦИЯ НАНЕСЕНИЕ СЛОЯ КОМПАУНДА ОКУНАНИЕМ. Настоящая операция предусматривает технологический процесс герметизации микросхем методом нанесения слоя компаунда окунанием. Подготовка рабочего места.

Дополнительные указания
Дополнительные указания. Микросхемы упавшие в ванну с компаундом во время окунания партии, взять пинцетом, промыть в чашке с ацетоном, загрузить в кассету и произвести окунание. 5.2 По окончании ра

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги