Реферат Курсовая Конспект
Работа сделанна в 1997 году
МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА - Отчет по Практике, раздел Высокие технологии, - 1997 год - Технология производства К56ИЕ10 и серии м/с К426 и К224 Маршрут Изготовления Кристалла. Ие1. Формирование Партии Пластин. 2. Гидромех...
|
МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА. ИЕ1. Формирование партии пластин. 2. Гидромеханическая отмывка пластин. 3. Химическая обработка. Смесь Каро H2SO4H2O2, перикисьно-амиачная смесь.
Оборудование линия Лада 4. Окисление 1. Установки СДОМ, АДС. Температура 1000ОС. О2пар. 5. Фотолитография. Формирование области р-кармана. 1. Нанесение фоторезиста. Фоторезист ФП383. Установка ХБС. 2. Совмещение экспонирования пластин ЭМ 576А. 3. Проявление фоторезиста. Проявитель едкий калий. 4. Дубление фоторезиста. Установки Лада. 5. Травление окисной пленки. Буферный травитель. 6. Контроль. 6. Ионное легирование. Бор 1. Карман. Установка Лада 7. Снятие фоторезиста. 1. Плазма. Установка 08 ПХО 100Т-2. Смесь Каро. 8. Химическая обработка. 9. Разгонка бора. Карман.
Температура 1200ОС. О2азот. 10. Вторая фотолитография. Формирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и р-охраны. 11. Ионное легирование. Бор 2 . Сток- исток.
Установка Везувий-3М. 12. Снятие фоторезиста. Плазма и смесь Каро. 13. Химическая обработка. 14. Разгонка бора. Сток- исток.
Температура 1000ОС, О2пар. 15. Третья фотолитография. Формирование областей сток- истока n-канальных транзисторов и n-охраны. 16. Химическая обработка. 17. Загонка фосфора диффузионный метод. Температура 900ОС. Диффузант POCl18. Снятие фосфорселикатного стекла. HF H2O 19. Разгонка фосфора. Температура 1000ОС. О2пар. 4Я фотолитография. Вскрытие областей под затвор и контактные окна. 21. Окисление 2 подзатворный диэлектрик.
Температура 1000ОС. О2HCl. 22. Стабилизация фосфора. Температура 900ОС. Диффузант POCl23. Подлегирование. 24. Отжиг подзатворного диэлектрика. 5Я фотолитография. Вскрытие контактных окон. 26. Химическая обработка. 27. Напыление AlSi. Установка Магна 2М. 6Я фотолитография. Формирование алюминиевой разводки. 29. Вжигание алюминия. Температура 475ОС в азоте. 30. Нанесение защитного окисла. Температура 400ОС. SiH4O2. Установка Аксин. 7Я фотолитография. Вскрытие контактных площадок. 8Я фотолитография. Защита пластин фоторезистом. 33. Контроль ВАХ пробивное напряжение, пороговое напряжение, прямое напряжение и др 34. Контроль электрических параметров. 35. Контроль внешнего вида.
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
ВВОДНАЯ ЧАСТЬ Микросхема 564ИЕ10 Микросхема содержит два отдельных четырехразрядных двоичных счетчика. Триггеры каждого из них устанавливаются в… Оборудование линия Лада 4. Окисление 1. Установки СДОМ, АДС. Температура… Температура 1200ОС. О2азот. 10. Вторая фотолитография. Формирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и…
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов