рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО

Работа сделанна в 1997 году

СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО - Отчет по Практике, раздел Высокие технологии, - 1997 год - Технология производства К56ИЕ10 и серии м/с К426 и К224 Сборочное Производство. Вводная Часть Микросхема К425Нк1 Микросхема Интеграль...

СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО. ВВОДНАЯ ЧАСТЬ Микросхема К425НК1 Микросхема интегральная К425НК1 предназначена для работы в блоке управления экономайзера автомобиля, изготавливаемого для народного хозяйства.

Рис. 4. Схема расположения выводов Нумерация выводов показана условно.

Ключ показывает направление отсчета выводов. масса не более 3г. Табл. 5 . Назначение выводов.

Номер выводаНазначение вывода1Вывод резистора R92Точка соединения резисторов R4 и R53Точка соединения резисторов R5 и R64Точка соединения резисторов R6 и R75Точка соединения резисторов R1 и R26Точка соединения резисторов R4 и R97Точка соединения резисторов R2 и R38Вывод резистора R39Вывод резистора R8 Табл. 6. Основные электрические параметры при температуре 25100С. Наименование параметра, режим измерения, единица измеренияБуквенное обозначениене менеене болееСопротивление, КОмR127.033.0Сопротивление, КОмR20.6120.748Сопротивление, КОмR30.4590.561Сопротивление, КОмR40.5010.612Сопротивление, КОмR50.2250.275Сопротивление, КОмR60.8441.032Сопротивление, КОмR90.5770.705Сопротивление, КОмR7R82.442.98Выходное напряжение, В при входном напряжении форма сигнала синусоида, амплитуда 10В, частота 3390 ГцUвых.52.78.0Выходное напряжение, В при входном напряжении форма сигнала синусоида, амплитуда 10В, частота 3390 ГцUвых.40.61.6 МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ К425НК1 Эти схемы изготавливаются по толстопленочной технологии. 1. Промывка чистых плат в деионизованной воде в УЗ поле с порошком. 2. Термообработка при температуре 600 700ОС. 3. Нанесение первой стороны проводников с проверкой совмещения под микроскопом.

Пасты ПП3, содержащие серебро, палладий, органику. 4. Вжигание при температуре 625 740ОС. 5. Нанесение второй стороны проводников.

Пасты ПП1. 6. Вжигание при той же температуре предварительное вжигание . 7. Нанесение проводников с торцевой стороны на полуавтомате с целью соединения сторон. 8. Окончательное вжигание проводников при температуре 800 865ОС. 9. Нанесение резистивного слоя на полуавтомате на маске.

Состав пасты окись Ag, Pd, органика. 10. Вжигание резистивной пасты при температуре 700 750ОС. 11. Подгонка лазерным лучом установки Темп 12. Измерение резисторов, контроль внешнего вида. 13. Пайка в электронагревательном устройстве в воздушной среде. Эта операция предусматривает пайку навесных элементов с помощью паяльной лампы на автоматической линии пайки.

Здесь закладывается качество.

От того на сколько качественно проведена пайка зависит качество и надежность схем. Паста наносится трафаретной печатью через трафарет.

Нанесенные элементы ставят автоматически путем захвата их из бункера и установки на место.

Температура плавления 200-220ОС. Здесь не допускается смещение кристаллов, неправильная ориентация кристаллов, прокрасы пасты. 14. Промывка в органическом растворителях в УЗ поле. Операция предназначена для отмывки плат с навесными элементами от флюса.

Промывка ведется в трех ваннах с предварительной замочкой в течении 3 минут с последующей обработкой в УЗ поле в течении 2 3 минут в каждой из трех ванн. Затем схемы высушиваются под вытяжкой.

При выполнении данной операции необходимо строго выполнять требования безопасности.

Не допускается соприкосновение ТХЭ с нагретыми металлическими предметами во избежании образования удушающих газов фосген, дифосген. 15. Промывка в горячей деионизованной воде. Операция предусматривает дополнительную промывку от остатков флюса и хлора от ТХЭ при температура 85ОС расход Н2О 1,2 лмин с последующей сушкой при температуре 80 120ОС. 16. Стабилизация параметров термотренировкой.

Стабилизация проводится, чтобы не уходили параметры резистора. Проводится при температуре 853ОС в течении 24 часов 17. Пайка проволочных выводов газовым пламенем на автоматической линии армирования.

Газ водород.

Р0.6.10-5 Па. Время пайки 100 мсек. Для выводов используется медь луженая. 18. Загрузка схем в кассеты.

Проводится для удобства проведения операции герметизации. 19. Нанесение слоя компаунда окунанием.

Данная операция предусматривает технологический процесс герметизации микросхем. Процесс происходит вручную. При этом надо следить, чтобы не нарушались габаритные параметры. Герметик компаунд на основе эпоксидной смолы с добавлением отвердителя, растворителя и красителя. 20. Сушка конвективная.

Проводится с целью полимеризации компаунда в печи СК при температуре 130 150ОС в течении 2 часов. 21. Маркировка. С помощью специальных приспособлений на каждую схему наносится товарный знак название, дата, ключ . 22. Лакировка. Схемы покрываются лаком для улучшения товарного вида и дополнительной защиты от влаги. 23. Сушка конвективная. Проводится при температуре 130 150ОС в течении 2 часов. 24. Термотренировка.

Здесь предусматривается стабилизация параметров при температуре 120ОС в течении 24 часов. 25. Испытание на воздействие изменений температуры среды термоциклирование. Проводится в двух камерах КТ04 камера тепла и КТХБ камера холода при температуре от125ОС до -65ОС 10 циклов с целью определения способности микросхем выдерживать попеременное воздействие придельной повышенной и придельной пониженной значений температур и сохранять после воздействия внешний вид и электрические параметры. 26. Электро термо тренировка ЭТТ. Предусматривает испытания микросхем на электрическую нагрузку при повышенной температуре.

Схема загружается в контактирующие специальные стенды и испытывается в рабочем режиме при 85ОС в течении времени равном времени наработки 1 7 суток . 27. Разбраковка по электрическим параметрам. Проводится с целью разделения годных схем от брака. Схемы проверяются на испытательном комплексе Вахта по всем приемосдаточным параметрам, предусмотренным техническими условиями. 28. Разбраковка по внешнему виду. 29. Сдача в ОТК. От сданной партии 10 выборки проверяется.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Технология производства К56ИЕ10 и серии м/с К426 и К224

ВВОДНАЯ ЧАСТЬ Микросхема 564ИЕ10 Микросхема содержит два отдельных четырехразрядных двоичных счетчика. Триггеры каждого из них устанавливаются в… Оборудование линия Лада 4. Окисление 1. Установки СДОМ, АДС. Температура… Температура 1200ОС. О2азот. 10. Вторая фотолитография. Формирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Операция спецокисление
Операция спецокисление. Оборудование. система диффузионная см табл. 1 стол монтажный СМ-4 А2МО 238 001 ТУ реактор кварцевый 07-0397 реактор кварцевый 07-0541 крючок кварцевый 09-1067 лодочка кварце

МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА
МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА. ИЕ1. Формирование партии пластин. 2. Гидромеханическая отмывка пластин. 3. Химическая обработка. Смесь Каро H2SO4H2O2, перикисьно-амиачная смесь. Оборудование

ОПЕРАЦИЯ СПЕЦОКИСЛЕНИЕ
ОПЕРАЦИЯ СПЕЦОКИСЛЕНИЕ. Оборудование. система диффузионная см табл. 1 стол монтажный СМ-4 А2МО 238 001 ТУ реактор кварцевый 07-0397 реактор кварцевый 07-0541 крючок кварцевый 09-1067 лодочка кварце

ОПЕРАЦИЯ УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА В СМЕСИ КАРО
ОПЕРАЦИЯ УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА В СМЕСИ КАРО. Оборудование. установка химической обработки ЩЦМЗ 240 212 нагреватель ультрачистых сред ЩЦМЗ 031 173 кассета 07-0518 тара межоперационная ЩИТ - 725 пинце

КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА
КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА. Оборудование система измерительная Н2001 Интеграл зонд измерительный ОМ6010 Алгоритм программы разбраковки Алгоритм программы разбраковки кристаллов 564

ОПЕРАЦИЯ НАНЕСЕНИЕ СЛОЯ КОМПАУНДА ОКУНАНИЕМ
ОПЕРАЦИЯ НАНЕСЕНИЕ СЛОЯ КОМПАУНДА ОКУНАНИЕМ. Настоящая операция предусматривает технологический процесс герметизации микросхем методом нанесения слоя компаунда окунанием. Подготовка рабочего места.

Дополнительные указания
Дополнительные указания. Микросхемы упавшие в ванну с компаундом во время окунания партии, взять пинцетом, промыть в чашке с ацетоном, загрузить в кассету и произвести окунание. 5.2 По окончании ра

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги