Возможность получения плёнок силленита на силлените.
Будущие высокоёмкие системы оптической связи, как считают A.A. Ballman и P.K. Tien 44, будут состоять из различных пассивных и активных интегральных оптических устройств, функция которых - проводить и манипулировать световыми волнами, несущими информацию. Со времени публикации 44 проводились интенсивные исследования различных тонкоплёночных светодиодов и, связанных с ними, оптических устройств. Работа в этой области 44 выявила, что окончательный успех предлагаемых оптических систем, в основном, зависит от разработки тонкоплёночных материалов, имеющих приемлемые свойства для применения в системах оптической передачи информации.
Авторами работы 52 было обнаружено, что монокристаллические тонкоплёночные материалы подходят для интегральных оптических устройств, так как они имеют малые потери для проводящих волн, относительно просты и недороги в изготовлении. Авторы 44 обнаружили новый обещающий класс монокристаллических материалов, идеально подходящий для использования как в пассивных, так и в активных тонкоплёночных светопроводящих оптических устройствах.
Светопроводящие устройство 44 состоит из тонкой плёнки прозрачного силленитового материала на основе оксидов висмута, образованной на подложке так же прозрачного силленитового материала на основе оксидов висмута с более низким показателем преломления, чем у плёнки. Как было показано ранее глава 1.2. семейство силленитов включает множество соединений Bi2O3 с оксидами GeO2, SiO2, TiO2, ZnO, Ca2O3, Al2O3, Fe2O3, B2O3, P205 и т.д. Частичная или полная замена различных ионов силленитов позволяет изменять показатель преломления как плёнки, так и подложки в относительно широком диапазоне.
Монокристаллические силленитовые плёнки совершенно прозрачны в видимом и ИК - спектре, обладают низкими потерями на рассеивание и поглощение световых волн. Кроме того, было обнаружено 44, что силлениты обладают эффектом Фарадея, являются пьезоэлектриками, оптически активными, оптически нелинейными и фотопроводящими материалами.
Использование Bi12GeO20 в качестве подложки в процессе гетероэпитаксиального получения плёнок силленитов очевидно в связи с тем, что германосилленит имеет наивысшую точку плавления из всех соединений силленитов, приведённых в таблице 1.5.1. Подложка, таким образом может быть погружена во все соединения, чьи температуры плавления ниже. Близкое согласование параметров решётки и коэффициента теплового расширения так же дают возможность получить высококачественные эпитаксиальные слои. Соединения приведённые в таблице 1.5.1. удовлетворяют этим требованиям в вариантах, где в качестве подложки использовался германосилленит.
Таблица 1.5.1. 44 Состав Соотношение Параметр решётки, Е Температура плавления, С Bi2O3 - Bi2O3 12 1 10,12 700 Bi2O3 - SiO2 6 1 10,10 900 Bi2O3 - GeO2 6 1 10,14 935 Bi2O3 - TiO2 6 1 10,17 930 Bi2O3 - Ga2O3 12 1 10,17 825 Bi2O3 - Al2O3 12 1 10,16 930 Bi2O3 - Fe2O3 19 1 10,18 825 Bi2O3 - ZnO 6 1 10,20 800 Bi2O3 - P2O5 12 1 10,16 900 2.6