Оптические свойства - Дипломная Работа, раздел Высокие технологии, Выращивание пленок силленитов легированного Cr203 на подложках Bi12GeO20 и изучения их свойств Оптические Свойства.
Перспективность Материалов Со Структурой Силленит...
Оптические свойства.
Перспективность материалов со структурой силленита в значительной степени объясняются электрооптическими свойствами этих кристаллов, то есть сравнительно малой величиной полуволнового напряжения, а также значительными продольными и поперечными электрооптическими эффектами. Известно, 53 что легирование Al, Ga, Sr значительно изменяет спектральную зависимость оптического поглощения и диэлектрические свойства монокристаллов.
В работе Копылова с сотрудниками 54 исследовано влияние легирования монокристаллов Bi12SiO20 элементами II и III групп на величину и спектральную зависимость U . В пространственно-временных модуляторах света типа ПРОМ важно иметь не слишком тонкий слой материала, поскольку к нему прилагается сильное электрическое поле. Коэффициент поглощения определяет максимально допустимую рабочую длину устройства, использующего данный материал.55 Снижение коэффициента поглощения в области 400-600 нм обеспечивается введением в B12GeO20 0,1 масс Al2O3 рис. 1.6.1. Рис.1.6.1. Зависимость полуволнового напряжения U от длины волны для легированного силликосилленита I. Bi12SiO20 II. Bi12SiO20 - Al III. Bi12SiO20 - Ga IV. Bi12SiO20 - Ca V. Bi12SiO20 - Sr VI. Bi12GeO20. Такое легирование даёт возможность увеличения максимальной допустимой рабочей длины от 160 мкм для Bi12GeO20 до 3,2 мм для Bi12GeO20 -0,1 масс. Al2O3 при работе на длине волны 420 нм, а при записи голограмм на 514,5 нм она составит уже 10 мм55. Фотопроводность определяет возможность использования силленитов в устройствах записи оптической информации - пространственно-временных модуляторах света ПВМС . Увеличение фоточувствительности за счёт легирования кристалла позволяет увеличить чувствительность таких устройств, если оно не вызывает увеличения темновой проводимости, уменьшающей время хранения записанной информации.
Однако, в электрооптических лампах, управляемых электронным лучом 56 благоприятным условием использования силленитов является подавление фотопроводимости.
Рис.1.6.2. Спектр фоточувствительности кристаллов 57. 1 - Bi12SiO20 2 - Bi12SiO20 - Mn 0,15 масс. в шихте 3 - Bi12SiO20 - Cr 0,10 масс. в шихте Значительное уменьшение фотопроводимости отмечено у Bi12SiO20 при легировании Cr и Mn 57 рис. 1.6.2 Al и Ga до 0,5 вес. в расплаве 58 у Bi12GeO20 - при легированииCa и Ga 56 . 2.7
К числу важнейших элементов таких систем относятся оптические модуляторы, дефлекторы, дисплеи, элементы долговременной и оперативной памяти и др. В… В настоящее время значительная часть радиоэлектронных приборов конструируется… Сложные кислородные соединения Bi силленитов типа mBi2O3nMexOy вызывают большой интерес, являясь пьезоэлектриками, …
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Оптические свойства
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Литературный обзор
Литературный обзор. Соединения со структурой силленита. Кристаллы со структурой силленита относятся к пентагонтритетраэдрическому классу I 23 кубической сингонии и принадлежит к пространственной гр
Структура германата висмута
Структура германата висмута.
Атомы кислорода О 3 расположены на главных диагоналях элементарной ячейки вокруг Ge, образуя правильный тетраэдр, на что было обращено внимание в работах 6-8 рис
Некоторые физические свойства силленитов
Некоторые физические свойства силленитов.
Монокристаллы со структурой силленита, в основном, удовлетворяют требованиям, предъявляемым к электрооптическим и магнитным кристаллам - Высокие про
Требования к материалу подложки
Требования к материалу подложки.
Жидкостная эпитаксия отличается от других способов кристаллизации из расплава наличием монокристаллической подложки, на которую кристаллизуется осаждаемое ве
Подготовка поверхности подложки к эпитаксии
Подготовка поверхности подложки к эпитаксии.
Чистота поверхности подложки является решающим фактором для выращивания и адгезии плёнок. Хорошо очищенная подложка является необходимым предвари
Получение плёнок соединений со структурой силленита
Получение плёнок соединений со структурой силленита.
Термин эпитаксия происходит от греческих слов эпи и такси, имеющих значения над и упорядочение. Технологический процесс эпитаксии заключа
Возможность получения плёнок силленита на силлените
Возможность получения плёнок силленита на силлените.
Будущие высокоёмкие системы оптической связи, как считают A.A. Ballman и P.K. Tien 44, будут состоять из различных пассивных и активных и
Выводы из литературного обзора
Выводы из литературного обзора.
Сложные кислородные соединения Bi силленитов типа mBi2O3nMexOy вызывают большой интерес, являясь пьезоэлектриками, обладают электрооптическими и магнитооптиче
Выбор материала тигля
Выбор материала тигля.
При выращивании монокристаллов силленитов в качестве материала тигля используется платина. Хотя температура плавления германосилленита 930 С, применять керамические, к
Изготовление подложек из монокристаллов Bi
Изготовление подложек из монокристаллов Bi. GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии. Для изготовления подложек, монокристаллы германосилленита распиливали алмазным диском с наружной реж
Нанесения эпитаксиального слоя
Нанесения эпитаксиального слоя. Эпитаксиальные плёнки получали методом окунания монокристаллической германосилленитовой подложки в расплав. Платиновый тигель с шихтой помещали в кристаллизационную
Определение влияния температуры на толщину эпитаксиального слоя
Определение влияния температуры на толщину эпитаксиального слоя. Для приборов магнитооптики требуются плёнки толщиной не менее 20 мкм. На толщину получаемых эпитаксиальных плёнок основное влияние о
Выявление микроструктуры эпитаксиальных плёнок
Выявление микроструктуры эпитаксиальных плёнок. Изучение микроструктуры полученных плёнок производили кристаллооптическим методом на микроскопе МИН - 8 с 160 кратным увеличением.
Определяли
Результаты работы и выводы
Результаты работы и выводы. Получены плёнки твёрдого раствора Bi12GeO20 6 мольн.
Cr4 со структурой силленита на германосилленитовой подложке. 2. Оптимальными условиями для получения качестве
Экономическая часть
Экономическая часть. ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЕ обоснование проведения дипломной работы. В последнее время развитие и совершенствование передовых технологий привело к широкому внедрению достижений науки
Расчет энергетических затрат
Расчет энергетических затрат.
ЗЭ М К Т Ц , где ЗЭ - затраты на электроэнергию М - паспортная мощность, кВт К - коэффициент использования мощности 0,7-0,9 Т - время работы прибора, час. Ц - ц
Расчет заработной платы
Расчет заработной платы.
Расчет основной заработной платы.
Проводится исходя из месячной стипендии и числа отработанных месяцев ЗПИССЛ 250 7 1750 руб. Расчет основной заработной платы
Расчет амортизационных отчислений
Расчет амортизационных отчислений. Амортизационные отчисления рассчитываются по формуле А Ф НА Т 100 12 , где Ф - стоимость оборудования и приборов, т.руб. НА - годовая норма амортизации, составляе
Характеристика применяемых реактивов и препаратов
Характеристика применяемых реактивов и препаратов.
GeO2 - белый порошок М tпл 1115С, плотность - 4,7 г. см3. Растворимость в воде составляет 0,4 при 20 С . В щелочах растворяется с образован
Классификация по ПУЭ
Классификация по ПУЭ. По ПУЭ лаборатория относится к классу помещений В-Iб. В помещениях данного класса возможно образование горючих паров и газов, имеющих высокий НКПВ и резкий запах, легко обнару
Меры электробезопасности
Меры электробезопасности.
В лаборатории используется переменный ток промышленной частоты 50 Гц, напряжением 220 В. По опасности поражения людей электрическим током лабораторное помещение отн
Производственная санитария
Производственная санитария.
Общая площадь лаборатории составляет 42,2 м2, высота - 3,6 м, объем - 151,9 м3. Согласно СН 245-71 объем помещения на каждого работающего должен составлять не мен
Охрана окружающей среды от промышленных загрязнений
Охрана окружающей среды от промышленных загрязнений. ВВЕДЕНИЕ. Одной из проблем, стоящих перед инженером - технологом, является охрана окружающей среды. Решение сегодняшних экологических проблем за
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Новости и инфо для студентов