Изготовление подложек из монокристаллов Bi. GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии. Для изготовления подложек, монокристаллы германосилленита распиливали алмазным диском с наружной режущей кромкой перпендикулярно оси роста кристалла на пластины толщиной 1 1,5 мм. Далее пластины наклеивали пиццеином на металлическую планшайбу и шлифовали с применением алмазной шлифовальной пасты М . После того как пластины были отшлифованы, планшайбу с наклеенными на неё подложками тщательно мыли для удаления с неё остатков шлифовальной пасты.
Затем планшайбу помещали на полировочный круг и пластины полировались до зеркального блеска.
Для полировки применялась полировальная паста М . После окончания механической полировки проводили химическую смесью глицерина и соляной кислоты в пропорции 10 1, соответственно. Химическую полировку проводили в несколько приемов по 10 с. с контролем качества поверхности на микроскопе МИИ-4. После шлифовки и полировки из пластин вырезались пластины размеров, которые прикреплялись к корундовому стержню тонкой платиновой проволокой. Для очистки от жировых загрязнений, подложки погружались в четырёххлористый углерод и кипятились в нём в течение 15 20 минут. 3.6 Приготовление шихты для жидкофазной эпитаксии. Для проведения экспериментов брали навески Bi2O3, GeO2 и Cr2O3 из расчёта получения смеси содержащей 3 масс. Cr2O3 и производили синтез шихты по уравнению реакции приведённому ниже 6Bi2O3 0,94GeO2 0,03Cr2O3 Ge0,94Cr0,06Bi12O39,97. Суммарный вес навески составлял 50 г, что определялось размерами тигля.
Исходные компоненты отвешивали в рассчитанных соотношениях на аналитических весах АДВ - 200 с точностью до 0,0001 г. Затем проводили твёрдофазный синтез шихты при 820 С в течении 30 часов.
Для идентификации фаз применялся метод рентгенофазового анализа. Образцы анализировались на двукружном дифрактометре типа ДРОН - 2.0 CuK б в интервале углов 2 2Q 70 . 3.7