Нанесения эпитаксиального слоя. Эпитаксиальные плёнки получали методом окунания монокристаллической германосилленитовой подложки в расплав. Платиновый тигель с шихтой помещали в кристаллизационную камеру.
Для выравнивания радиального градиента над поверхностью расплава, тигель накрывали диафрагмой из термостойкой керамики. Затем опускали шток с прикреплённой к нему платиновой проволочкой подложкой. Для наращивания эпитаксиальных плёнок Ge0,94Cr0,06Bi12O39,97 использовались подложки Bi12GeO20 с ориентацией 111 и 100 . Шток с подложкой ориентировали таким образом, чтобы подложка находилась точно над центром тигля. Затем температуру с помощью ручного регулятора плавно поднимали до 899 С за 40 - 50 минут.
Это делалось для того, чтобы подложка и нагреватель не подвергались термоудару. После того как шихта расплавлялась, температуру выводили на заданное значение и выдерживали в течение 30 мин. для установления теплового режима. Подложку держали непосредственно над расплавом для прогрева. Далее подложку опускали в расплав при вращающемся штоке и выдерживали её там в течение 10 30 мин. Затем включали подъём штока. После того как подложка с нанесённой на неё плёнкой вытягивается из расплава, её вручную поднимали на 2 3 мм над расплавом и, выключив вращение и подъём штока, выдерживали в течении 1,5 часов.
Затем плавно начинали снижать температуру в печи до комнатной. Затем подложку с нанесённой на неё плёнкой извлекали из печи. Процесс жидкофазной эпитаксии проводился при скоростях подъёма штока 12 мм час и скорости вращения 47 Об мин. После наращивания проводился отжиг эпитаксиальных плёнок в течение 5 - 6 часов при температуре 850 С. Температура наращивания плёнок изменялась в пределах от 899 до 914 С. 3.8